[發(fā)明專利]一種智能卡封裝方法及一種智能卡的封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810057323.9
• 申請日: 2008-01-31
• 公開（公告）號: CN101221630A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任戰(zhàn)波;張俊超
• 申請（專利權(quán)）人: 大唐微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 北京信遠(yuǎn)達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 王學(xué)強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大容量智能卡封裝方法。

背景技術(shù)

SIM卡是應(yīng)用于手機(jī)的一種智能卡，目前，由于傳統(tǒng)的SIM卡一直無法存儲大量的數(shù)據(jù)，制約了SIM卡的發(fā)展空間。現(xiàn)階段出現(xiàn)的HD-SIM卡為傳統(tǒng)SIM卡提供了一個發(fā)展方向。但傳統(tǒng)SIM卡封裝時，如圖1a所示，在設(shè)備上，絕緣層12寬A為35mm，絕緣層上的第一金屬層11排列為2排，每排第一金屬層的尺寸為12.6×11.4mm。SIM卡芯片要封裝在絕緣層12上沒有第一金屬層11的一面，并且和第一金屬層11的位置對應(yīng)，因此傳統(tǒng)SIM卡封裝方法可以貼芯片的位置僅僅為12.6×11.4mm，無法進(jìn)行大芯片或多芯片的封裝。因此使大尺寸芯片和多芯片排布及封裝受到限制，限制了SIM卡向大容量發(fā)展。

在傳統(tǒng)SIM卡封裝中，如圖1b所示，包括第一金屬層11和絕緣層12。其中，絕緣層具有通孔10。

具體封裝步驟包括：

1)在絕緣層12的一側(cè)黏結(jié)第一金屬層11，在絕緣層表面形成通孔10；

2)在絕緣層12的另一側(cè)，第一金屬層的對應(yīng)位置黏結(jié)芯片16；

3)用金屬線6將芯片16的PAD和通孔10處漏出的第一金屬層11相連，從而實(shí)現(xiàn)第一金屬層11和芯片16的導(dǎo)電互連；

4)將芯片16，金屬線6，以及絕緣層12粘貼有芯片的一面用滴膠工藝塑封起來成為SIM卡模塊。

5)由于傳統(tǒng)SIM卡模塊本身的尺寸較小，在PLUG-IN小卡的范圍中，只要給其模塊的四周邊緣留出大于1.50mm的寬度，就可以保證其粘接在PLUG-IN小卡的范圍中，再在7816大卡上沖切出PLUG-IN小卡的形狀尺寸，將封裝好的PLUG-IN小卡嵌入塑料材質(zhì)的7816大卡中，就完成了傳統(tǒng)SIM卡的制作。

傳統(tǒng)的SIM卡向大容量方向發(fā)展中，由于SIM卡條帶上金屬部分的物理尺寸的限制，沒有足夠的空間封裝多個芯片，因此本發(fā)明增大了芯片的封裝空間，但在多個芯片封裝時，各個芯片之間需要連線，走線復(fù)雜并且為了防止短路等情況而需要較長的金屬線。這些就使得在實(shí)際生產(chǎn)中對于金屬線的高度和強(qiáng)度很難控制，大大降低的產(chǎn)品的可靠性。現(xiàn)有的小容量SIM卡通常存儲模塊和控制模塊在一個芯片里完成，因此SIM卡模塊內(nèi)的芯片間不需要連線。但大容量SIM卡存儲模塊和控制模塊則需要在存儲芯片和控制芯片兩個芯片內(nèi)完成，例如HD-SIM卡，因此就需要在SIM卡模塊內(nèi)連接很長的金屬線。

除此之外，由于大容量SIM卡封裝時模塊的尺寸較大，傳統(tǒng)的滴膠的塑封方法不能滿足需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)的SIM卡封裝方法針對大容量SIM卡大芯片和多芯片封裝時，存在封裝空間不夠和金屬線連接不可靠的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種智能卡的封裝方法，步驟包括：提供一絕緣層；在絕緣層上形成第一金屬層；確定芯片在絕緣層上不具有第一金屬層的一面的連線位置，并在所述連線位置形成第二金屬層；將芯片黏結(jié)在絕緣層上第二金屬層所在的一面；用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層，使芯片和第一金屬層導(dǎo)電互連。

其中，第二金屬層為用電鍍、腐蝕或蝕刻的方法形成。

其中，所述第一金屬層的平面尺寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，為15×25mm。

進(jìn)一步的，用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層之后，還包括：用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接不同的芯片，使不同的芯片導(dǎo)電互連。

進(jìn)一步的，用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層之后，還包括塑封的步驟，具體為：使用灌注方法將芯片、第二金屬層、金屬線以及絕緣層塑封為長25mm、寬15mm、厚度760μm的結(jié)構(gòu)。

其中，所述塑封的步驟包括：

A、使用模具的上模和下模將智能卡模快夾在中間，在芯片、第二金屬層、金屬線以及絕緣層上方形成一個矩形空腔；

B、將模具加熱到塑封材料的熔點(diǎn)溫度；

C、將固體的塑封材料送至模具的通孔，塑封材料在通孔處融化為液態(tài)灌入所述空腔內(nèi)；

D、待塑封材料注滿空腔后冷卻，使塑封材料變?yōu)楣虘B(tài)。

其中，所述的塑封材料為環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂包含金剛砂和固化劑。

進(jìn)一步的，在所述塑封的步驟之后還包括：將塑封之后的智能卡模塊嵌入7816大卡內(nèi)的步驟，具體為：