[發(fā)明專利]可調(diào)節(jié)透過率的掩模板、制造方法及其掩模方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810056495.4
• 申請(qǐng)日: 2008-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN101487972A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周偉峰;郭建;明星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種掩模板的掩模方法，特別涉及一種可調(diào)節(jié)透過率的掩模 板的掩模方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器（Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱LCD）技術(shù)在近十年有了 飛速地發(fā)展，從屏幕的尺寸到顯示的質(zhì)量都取得了很大進(jìn)步。隨著LCD生產(chǎn) 的不斷擴(kuò)大，各個(gè)生產(chǎn)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈。各廠家在不斷提高產(chǎn)品 性能的同時(shí)，也在不斷努力降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，從而提高市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

LCD在陣列基板和彩膜基板等制備過程中，掩模板是光刻工藝所需要的 重要資材，掩模板的質(zhì)量和成本直接影響到液晶面板的質(zhì)量和成本。由于掩 模板價(jià)格昂貴，曝光機(jī)能夠裝載的掩模板數(shù)量有限，因此在不影響產(chǎn)品質(zhì)量 的前提下，減少光刻次數(shù)，減少掩模板的數(shù)量，從而提高生產(chǎn)速度、降低成 本是目前各廠商普遍努力的主要方向。

目前，現(xiàn)有技術(shù)主要采用一次光刻工藝制造掩模板，先后經(jīng)過鍍金屬層、 激光光刻、刻蝕工藝，最終在石英或蘇打基板上制備電路圖形。而在陣列基 板和彩膜基板制備過程中的局部光刻工藝中，需要制造出可調(diào)節(jié)部分透光區(qū) 域透過率的掩模板。目前掩模板上部分透光區(qū)域主要是采用Slit&Bar溝道 設(shè)計(jì)，個(gè)別高端產(chǎn)品采用半透膜設(shè)計(jì)。

在實(shí)際使用中，掩模板上Slit&Bar溝道設(shè)計(jì)的電路圖形是固定的，半 透膜設(shè)計(jì)中的半透膜的材質(zhì)和厚度也是固定的，因此一個(gè)掩模板的部分透光 區(qū)域的透過率是固定的，如果生產(chǎn)需要變更透過率時(shí)，需要重新制作掩模板， 這樣一來導(dǎo)致開發(fā)和生產(chǎn)成本變高，并且部分透光區(qū)域的光刻膠厚度和其他 位置的關(guān)鍵尺寸只能同時(shí)改變，不能分開控制，對(duì)電路設(shè)計(jì)提出的工藝質(zhì)量 要求較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種可調(diào)節(jié)透過率的掩模板的掩模方法，可以方便 地調(diào)整掩模板的透過率，提高光刻工藝的可控性，降低生產(chǎn)成本。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種可調(diào)節(jié)透過率的掩模板的掩模方法， 其特征在于，包括：

步驟10、需要給曝光機(jī)配置上偏振濾光元件，使曝光機(jī)發(fā)出可以調(diào)整偏 振方向的偏振光，當(dāng)需要制備目標(biāo)基板上光刻膠曝光程度不同的電路圖形時(shí)， 根據(jù)光刻膠的曝光程度，調(diào)整曝光機(jī)上偏振濾光元件的偏振方向，使其與掩 模板上偏振層的偏振方向呈設(shè)定角度，其中，所述掩模板包括基板，所述基 板上形成有透光區(qū)域、非透光區(qū)域和部分透光區(qū)域，至少所述部分透光區(qū)域 上形成有所述偏振層；

步驟20、將掩模板放置在目標(biāo)基板上，并曝光；

步驟30、移開掩模板。

優(yōu)選地，所述步驟10具體為：

步驟1001、確定光刻膠的曝光程度；

步驟1002、根據(jù)曝光程度確定光透過率；

步驟1003、根據(jù)透過率＝Acosθ，調(diào)整曝光機(jī)上偏振濾光元件的偏振方 向，使曝光機(jī)上偏振濾光元件的偏振方向與掩模板上偏振層的偏振方向呈θ 角度，其中A為工藝系數(shù)，θ為曝光機(jī)上偏振濾光元件的偏振方向與掩模板 上偏振層的偏振方向之間的夾角。

優(yōu)選地，所述掩模板的基板上設(shè)有覆蓋整個(gè)基板的保護(hù)膜。

優(yōu)選地，所述掩模板中偏振層的厚度為0.04μm～3000μm。

優(yōu)選地，所述掩模板通過下述步驟形成：

步驟1、在基板上沉積一層金屬層，通過曝光、顯影和刻蝕工藝，去除 掉基板第一區(qū)域的金屬層；

步驟2、在完成步驟1的基板上形成一層偏振層，該偏振層至少覆蓋第 一區(qū)域；

步驟3、通過強(qiáng)脈沖激光掃描灰化或刻蝕工藝，去除掉基板第二區(qū)域的 金屬層和偏振層，使第二區(qū)域形成透光區(qū)域，第一區(qū)域形成部分透光區(qū)域， 第一區(qū)域和第二區(qū)域以外形成非透光區(qū)域。

優(yōu)選地，所述步驟1具體為：

步驟101、在基板上均勻沉積一層金屬層；

步驟102、在金屬層上均勻涂覆一層光刻膠；

步驟103、使用激光掃描工藝將部分光刻膠曝光；

步驟104、通過顯影工藝將已曝光的光刻膠去除；

步驟105、通過刻蝕工藝將未被光刻膠覆蓋的金屬層刻蝕掉，在基板上 形成第一區(qū)域。

優(yōu)選地，所述步驟1具體為：

步驟111、在基板上均勻沉積一層金屬層；

步驟112、使用強(qiáng)激光脈沖掃描去除基板上第一區(qū)域的金屬層。