[發明專利]可調節透過率的掩模板、制造方法及其掩模方法

有效

• 申請號: 200810056495.4
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN101487972A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 周偉峰;郭建;明星
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

1.一種可調節透過率的掩模板的掩模方法，其特征在于，包括：

步驟10、需要給曝光機配置偏振濾光元件，使曝光機發出可以調整偏振 方向的偏振光，當需要制備目標基板上光刻膠曝光程度不同的電路圖形時， 根據光刻膠的曝光程度，調整曝光機上偏振濾光元件的偏振方向，使其與掩 模板上偏振層的偏振方向呈設定角度，其中，所述掩模板包括基板，所述基 板上形成有透光區域、非透光區域和部分透光區域，至少所述部分透光區域 上形成有所述偏振層；

步驟20、將掩模板放置在目標基板上，并曝光；

步驟30、移開掩模板。

2.根據權利要求1所述的掩模方法，其特征在于，所述步驟10具體為：

步驟1001、確定光刻膠的曝光程度；

步驟1002、根據曝光程度確定光透過率；

步驟1003、根據透過率＝Acosθ，調整曝光機上偏振濾光元件的偏振方 向，使曝光機上偏振濾光元件的偏振方向與掩模板上偏振層的偏振方向呈θ 角度，其中A為工藝系數，θ為曝光機上偏振濾光元件的偏振方向與掩模板 上偏振層的偏振方向之間的夾角。

3.根據權利要求1所述的掩模方法，其特征在于，所述掩模板的基板上 設有覆蓋整個基板的保護膜。

4.根據權利要求1所述的掩模方法，其特征在于，所述掩模板中偏振層 的厚度為0.04μm～3000μm。

5.根據權利要求1所述的掩模方法，其特征在于，所述掩模板通過下述 步驟形成：

步驟1、在基板上沉積一層金屬層，通過曝光、顯影和刻蝕工藝，去除 掉基板第一區域的金屬層；

步驟2、在完成步驟1的基板上形成一層偏振層，該偏振層至少覆蓋第 一區域；

步驟3、通過強脈沖激光掃描灰化或刻蝕工藝，去除掉基板第二區域的 金屬層和偏振層，使第二區域形成透光區域，第一區域形成部分透光區域， 第一區域和第二區域以外形成非透光區域。

6.根據權利要求5所述的掩模方法，其特征在于，所述步驟1具體為：

步驟101、在基板上均勻沉積一層金屬層；

步驟102、在金屬層上均勻涂覆一層光刻膠；

步驟103、使用激光掃描工藝將部分光刻膠曝光；

步驟104、通過顯影工藝將已曝光的光刻膠去除；

步驟105、通過刻蝕工藝將未被光刻膠覆蓋的金屬層刻蝕掉，在基板上 形成第一區域。

7.根據權利要求5所述的掩模方法，其特征在于，所述步驟1具體為：

步驟111、在基板上均勻沉積一層金屬層；

步驟112、使用強激光脈沖掃描去除基板上第一區域的金屬層。

8.根據權利要求6或7所述的掩模方法，其特征在于，所述第一區域為： 具有0.05μm～1.0μm工藝冗余的第一區域。

9.根據權利要求5所述的掩模方法，其特征在于，所述步驟2具體為： 在完成步驟1的基板上形成一層厚度為0.04μm～3000μm的偏振層，該偏振 層至少覆蓋第一區域。

10.根據權利要求5所述的掩模方法，其特征在于，在步驟3之后還包 括步驟：在基板上形成一層覆蓋整個基板的保護膜。