[發明專利]一種碳納米管的氧化改性方法無效
| 申請號: | 200810056401.3 | 申請日: | 2008-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN101229918A | 公開(公告)日: | 2008-07-30 |
| 發明(設計)人: | 楊萬泰;謝景毅;劉蓮英;鄧建平 | 申請(專利權)人: | 北京化工大學 |
| 主分類號: | C01B31/00 | 分類號: | C01B31/00;C01B31/02;C09C1/44 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人: | 何俊玲 |
| 地址: | 100029北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 氧化 改性 方法 | ||
1.一種碳納米管的氧化改性方法,具體步驟是:將多壁碳納米管或者單壁碳納米管與氧化劑和去離子水混合,在攪拌和加溫條件下使碳納米管與氧化劑反應,反應結束后進行分離、洗滌、干燥即得到目標產物。
2.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是所述的氧化劑是水溶性過硫酸鹽或雙氧水;反應體系中氧化劑的質量百分含量是0.5%到飽和;反應體系中碳納米管的質量百分含量為0.03-20%;碳納米管與氧化劑反應條件是,在20-90℃的溫度下反應0.25-120小時。
3.根據權利要求1或2所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是所述的水溶性過硫酸鹽是過硫酸鉀、過硫酸銨或過硫酸鈉。
4.根據權利要求1或2所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是所述的氧化劑是過硫酸銨。
5.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是對于單壁碳納米管其在體系中的質量百分含量為0.03-15%;對于多壁碳納米管其在體系中的質量百分含量為0.03-20%。
6.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是對于單壁碳納米管,其在體系中的質量百分含量為0.5-2%;對于多壁碳納米管其在體系中的質量百分含量為0.5-2%。
7.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是當制備不需截斷的可溶性長碳納米管時,反應體系中氧化劑的質量百分含量為0.5-5%;反應條件是在20-90℃反應0.25-120小時。
8.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是當制備不需截斷的可溶性長碳納米管時,反應條件是在20-50℃反應12-120小時。
9.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是當制備截斷的可溶性短納米管時,反應體系中氧化劑質量百分含量為5-30%;反應條件是在50℃-80℃反應0.25-24小時。
10.根據權利要求1所述的碳納米管的氧化改性方法,其特征是當制備截斷的可溶性短納米管時,反應體系中氧化劑質量百分含量為20-30%;反應條件是在70℃-80℃反應1-5小時。
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