[發明專利]高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法

有效

• 申請號: 200810055243.X
• 申請日: 2008-06-23
• 公開（公告）號: CN101294276A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 李亮;霍玉柱;周瑞;李麗亞;嚴銳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/30;C23C16/56
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 米文智

技術領域

本發明涉及一種屏蔽膜的制備方法，尤其是一種等離子增強化學氣相淀積工藝中高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法。

背景技術

對半導體工藝而言，表面鈍化一直是半導體器件和電路中的一項重要的研究課題。好的屏蔽膜是半導體器件性能和可靠性的基礎。隨著半導體工藝的發展，許多單層的鈍化結構已經很難滿足器件和電路性能的要求，多層鈍化結構應運而生。而SiO₂和Si₃N₄作為常用的屏蔽膜材料，在器件和電路中有著廣泛的應用，其混合疊層的應用也很普遍。而在作為混合疊層的屏蔽膜使用時，其后進行的濕法腐蝕工藝中常常要求有選擇地去掉這種屏蔽膜的某些部分，而其外形尺寸與光刻時基本無變化，即兩層中有一層基本不發生腐蝕，這就需要這種屏蔽膜有普通淀積方法很難得到的較高的選擇比。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種提高濕法腐蝕中SiO₂和等離子增強化學氣相淀積法淀積的Si₃N₄間腐蝕選擇比的高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法。

為解決上述技術問題，本發明方法采用下述工藝步驟：(1)、采用等離子增強化學氣相淀積法淀積Si₃N₄層或SiO₂層；

(2)、對上步驟中淀積的Si₃N₄層或SiO₂層進行氧化；

(3)、采用等離子增強化學氣相淀積法淀積與前一淀積層不相同的SiO₂層或Si₃N₄層；

(4)、對上步驟中淀積的SiO₂層或Si₃N₄層氧化致密；

其中，所述Si₃N₄層的氧化采用濕氧氧化，氧化溫度為800℃-1100℃，氧化時間為1.5h-2.5h；所述SiO₂層的氧化采用濕氧氧化，氧化溫度為800℃-1000℃，氧化時間為0.25h-1.5h。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：本發明分別對淀積的Si₃N₄層和SiO₂層進行氧化，提高二者之間的的選擇比，得到高選擇比的Si₃N₄和SiO₂混合疊層屏蔽膜。本發明方法所得到的屏蔽膜在后續的腐蝕工藝中，能更好的控制圖形尺寸，加工更加精細。本發明方法中，采用濕氧氧化工藝時，可有效的縮短氧化時間，提高氧化效果。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

圖1是本發明的SiO₂和Si₃N₄的混合疊層結構示意圖；

圖2是本發明另一種SiO₂和Si₃N₄的混合疊層結構示意圖；

圖3是圖1結構經光刻并部分去除Si₃N₄層后形成的結構示意圖；

圖4是圖3結構經緩沖液恒溫腐蝕后形成的結構示意圖；

圖5是圖2結構經光刻后形成的結構示意圖。

圖6是圖5結構經緩沖液恒溫過腐蝕后形成的結構示意圖。

具體實施方式

實施例1：1、先將基片清洗，去除附著在表面的有機物和金屬離子；然后PECVD(等離子增強化學氣相淀積)淀積厚度為的Si₃N₄層，淀積溫度在250-350℃之間。

2、在氧化爐內，用通過沸騰的去離子水的攜帶水氣的氧氣，氧化Si₃N₄層2h，氧化溫度為950℃。

3、在上述的Si₃N₄層上PECVD淀積厚度為的SiO₂層，淀積溫度在250-350℃之間。

4、在氧化爐內，用通過沸騰的去離子水的攜帶水氣的氧氣，氧化SiO₂層1h，氧化溫度為900℃。