[發明專利]高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法

有效

• 申請號: 200810055243.X
• 申請日: 2008-06-23
• 公開（公告）號: CN101294276A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 李亮;霍玉柱;周瑞;李麗亞;嚴銳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/30;C23C16/56
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 米文智

1.一種高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法，其特征在于該方法采用下述工藝步驟：(1)、采用等離子增強化學氣相淀積法淀積Si₃N₄層或SiO₂層；

(2)、對上步驟中淀積的Si₃N₄層或SiO₂層進行氧化；

(3)、采用等離子增強化學氣相淀積法淀積與前一淀積層不相同的SiO₂層或Si₃N₄層；

(4)、對上步驟中淀積的SiO₂層或Si₃N₄層氧化致密；

其中，所述Si₃N₄層的氧化采用濕氧氧化，氧化溫度為800℃-1100℃，氧化時間為1.5h-2.5h；所述SiO₂層的氧化采用濕氧氧化，氧化溫度為800℃-1000℃，氧化時間為0.25h-1.5h。

2.根據權利要求1所述的高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法，其特征在于，淀積的Si₃N₄層厚度小于時，氧化時間為1.5h；淀積的Si₃N₄層厚度大于或等于時，氧化時間為2h。

3.根據權利要求1所述的高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法，其特征在于，淀積的SiO₂層厚度小于時，氧化時間為15min-40min；淀積的SiO₂層厚度大于或等于時，氧化時間為1h。

4.根據權利要求1所述的高選擇比混合疊層屏蔽膜的制備方法，其特征在于在，采用干氧氧化Si₃N₄層和SiO₂層，氧化溫度為800℃-1000℃。