[發明專利]高質量、高收率的碳納米管陣列制備方法及裝置

有效

• 申請號: 200810054298.9
• 申請日: 2008-08-26
• 公開（公告）號: CN101348901A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發明（設計）人: 崔屾;侯煒鑫;程剛;張順通;宮娜娜
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 王麗

1.一種高質量、高收率的碳納米管陣列制備方法，采用氣霧劑-CVD方法，其特征是以環己烷為碳源；方法步驟如下：

(1)首先分別對催化劑母體二茂鐵與環己烷進行純化；

(2)配制含有質量百分比2-6％濃度的催化劑母體的反應溶液，然后轉移入噴霧瓶中；

(3)密封反應系統，借助真空泵，用氬氣抽洗、置換其內的空氣；

(4)加熱石英反應管至750-900攝氏度，調節流量計至氬氣流量為3-9立升每分鐘，使反應溶液直接噴射入石英反應管，持續噴射4-15分鐘，即可得到碳納米管陣列粗產物。

2.如權利要求1所述的高質量、高收率的碳納米管陣列制備方法，其特征是所述的碳納米管陣列在放置于石英反應管內的石英片或單晶硅片上生成。

3.如權利要求1所述的高質量、高收率的碳納米管陣列制備方法，其特征是所述的環己烷使用前需經過精餾或5A分子篩浸泡脫水處理。

4.如權利要求1所述的高質量、高收率的碳納米管陣列制備方法，其特征是所述的催化劑母體二茂鐵在使用前需經過升華或常規干燥處理。