[發明專利]制備高純三氟化硼氣體的工藝方法及設備有效
| 申請號: | 200810052091.8 | 申請日: | 2008-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN101214970A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發明(設計)人: | 陳光華;倪志強 | 申請(專利權)人: | 核工業理化工程研究院華核新技術開發公司 |
| 主分類號: | C01B35/06 | 分類號: | C01B35/06 |
| 代理公司: | 天津市宗欣專利商標代理有限公司 | 代理人: | 胡恩河 |
| 地址: | 300384天津市華苑產業區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 高純 氟化 氣體 工藝 方法 設備 | ||
技術領域
本發明屬于一種制備高純三氟化硼氣體的方法及設備,具體涉及一種用氟氣和單質硼為原料制備三氟化硼氣體,然后對三氟化硼氣體進行除塵和精餾,可以穩定地制備高純三氟化硼氣體的工藝方法及設備。
背景技術
高純三氟化硼氣體是硅和鍺外延、擴散和離子注入過程的P型摻雜源;高純三氟化硼氣體可作為制備光纖預制件的原料;高純三氟化硼在許多有機反應和石油制品中,可作為聚合、烷基化和冷凝反應的催化劑;高純三氟化硼在比例中子計數器和可控中子反應堆中,使用B10F3中的B10作為中子吸收介質。
制備三氟化硼氣體的方法有多種,常用的制備三氟化硼氣體的方法有氟硼酸鹽法、螢石硼酐法、螢石硼砂法等。
氟硼酸鹽法采用的主要原料為氟硼酸鹽、硼酐和濃硫酸。將氟硼酸鹽與硼酐按一定比例混合后,加入到反應器中,在攪拌下加入濃硫酸,加熱一定時間后有三氟化硼氣體產生,其反應式為:
B2O3+6KBF4+6H2SO4→8BF3+6KHSO4+H2O
螢石硼酐法采用的主要原料為氟化鈣(螢石)、硼酐和濃硫酸。將氟化鈣與硼酐按一定比例混合后,加入到反應器中,在攪拌下加入濃硫酸,加熱一定時間后有三氟化硼氣體產生,其反應式為:
B2O3+3CaF2+3H2SO4→2BF3+3CaSO4+3H2O
螢石硼砂法采用氟化鈣(螢石)、硼砂和濃硫酸為原料生產三氟化硼氣體,其反應式為:
Na2B4O7+6CaF2+7H2SO4→4BF3+6CaSO4+Na2SO4+7H2O
上述方法的缺點是三氟化硼氣體中雜質含量高,純度低,在反應器中殘留有難以除去的固體殘渣,硫酸用量大,對設備腐蝕嚴重。
發明內容
本發明是為了克服現有技術中存在的缺點而提出的,其目的是提供一種采用氟氣與單質硼直接合成法生產三氟化硼氣體,經過除塵和精餾的方法,可以穩定地制備高純三氟化硼氣體的工藝方法及設備。
本發明的制備高純三氟化硼氣體的方法是:氟氣在凈化器中去除氟氣中雜質,凈化器的溫度為-140~-195℃,壓力為-0.09~0.2Mpa,在凈化器內進行低溫冷凍液化、收集氟氣后,對凈化器升溫,將解凍的氟氣通過管道進入氟氣儲罐,氟氣儲罐的壓力為-0.02~0.2Mpa。
氟氣與預熱到150℃以上的單質硼在反應器內進行合成化學反應,生成含有輕雜質的三氟化硼氣體,反應式為:
2B+3F2=2BF3
然后,含有輕雜質的三氟化硼氣體通過除塵器去除固體物質;再進入精餾釜進行液化、收集,精餾釜的溫度為-120~-145℃,然后精餾釜升溫,精餾釜中的氣相部分通過精餾柱上升到冷凝器中,此氣相部分在冷凝器中被冷卻到-115~-135℃,大部分三氟化硼氣體被液化變成下降液體流回精餾釜。
雜質經吸附器和真空機組后再經廢氣處理系統處理達標后再排放,冷凝器中通過管道排出的即為高純三氟化硼氣體。
本發明的制備高純三氟化硼氣體的設備,包括緩沖罐的出口通過管道和閥門與凈化器密封相通,凈化器與氟氣儲罐密封相通,氟氣儲罐與反應器密封相通。反應器與除塵器密封相通。除塵器與精餾釜密封相通,精餾釜通過精餾柱與冷凝器密封相通,冷凝器與吸附器和真空機組密封相通。
緩沖罐、管道、閥門、氟氣儲罐、反應器都采用耐氟的材料制作。
利用本發明的方法及設備生產的三氟化硼氣體純度高、設備簡單、操作方便、設備運行安全、可連續生產等優點。
附圖說明
圖1是本發明的制備高純三氟化硼氣體的工藝流程圖。
其中:
1緩沖罐??????2管道????????3閥門
4凈化器??????5氟氣儲罐????6反應器
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