[發明專利]一種三維高通量藥物篩選芯片及其制備方法

無效

• 申請號: 200810046929.2
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101245311A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 趙興中;王曉明;張南剛
• 申請（專利權）人: 武漢大學;湖北中醫學院
• 主分類號: C12M1/00
• 分類號: C12M1/00;C12Q1/02
• 代理公司: 武漢華旭知識產權事務所
• 代理人: 劉榮

1.一種三維高通量藥物篩選芯片，至少包括聚二甲基硅氧烷和玻璃載片，其特征是：第一層聚二甲基硅氧烷芯片上設有細胞注入和廢液輸出溝道；另一層聚二甲基硅氧烷芯片上設有藥物濃度梯度溝道和定量細胞培養腔室以及細胞進樣打孔處和廢液出口打孔處，定量細胞培養腔室與藥物濃度梯度溝道的出口溝道連接，且定量細胞培養腔室通過溝道分別與細胞進樣打孔處和廢液出口打孔處連接，第一層聚二甲基硅氧烷芯片的細胞注入和廢液輸出溝道通過細胞進樣打孔處和廢液出口打孔處與另一層聚二甲基硅氧烷芯片鍵合在一起，鍵合在一起的兩層聚二甲基硅氧烷芯片再與玻璃載片鍵合在一起。

2.根據權利要求1所述的三維高通量藥物篩選芯片，其特征是：定量細胞培養腔室構成平行試驗組微腔室、空白對照組微腔室和陽性藥物對照組微腔室。

3.根據權利要求1所述的三維高通量藥物篩選芯片，其特征是：細胞注入和廢液輸出溝道為分叉結構，且細胞注入和廢液輸出溝道深度為50～100μm，溝道寬度為100～3000μm。

4.根據權利要求1所述的三維高通量藥物篩選芯片，其特征是：藥物濃度梯度溝道為逐級分叉結構，且溝道深度為50～100μm，寬度為100～1000μm。

5.根據權利要求1或2或3所述的三維高通量藥物篩選芯片，其特征是：細胞注入和廢液輸出溝道和藥物濃度梯度溝道為單向阻尼結構或溝道內設有微閥門。

6.一種權利要求1所述三維高通量藥物篩選芯片的制備方法，其特征是包括以下步驟：

(1)設計細胞注入和廢液輸出溝道和藥物濃度梯度溝道的圖形，然后打印出膠片掩膜，溝道深度為50～100μm，溝道寬度為100～3000μm，定量細胞腔室直徑在1000～3000μm之間；

(2)在潔凈硅片上均勻涂甩上AZ50正型光刻膠；

(3)將涂膠硅片先于70～100℃下烘烤固化；

(4)將烘烤后的涂膠硅片與膠片掩膜平行對準貼緊后，紫外充分曝光；

(5)曝光充分后浸入顯影溶液，待顯影完全后，用去離子水沖洗干凈，再吹干，在涂膠硅片上制作出陽模圖形；?

(6)重復步驟(1)～(5)，分別制備兩片帶細胞注入和廢液輸出溝道和藥物濃度梯度溝道布局的硅片-光刻膠陽模；

(7)將聚二甲基硅氧烷預聚物灌注到制得的兩片硅片-光刻陽模上，待氣泡排盡后，烘焙2～3h，直至固化完全；

(8)切割并剝離兩片含溝道的聚二甲基硅氧烷，打孔，等離子體處理后，第一層聚二甲基硅氧烷芯片的細胞注入和廢液輸出溝道通過細胞進樣打孔處和廢液出口打孔處與另一層聚二甲基硅氧烷芯片對準鍵合得雙層聚二甲基硅氧烷芯片；

(9)將上述雙層聚二甲基硅氧烷芯片和玻璃載片等離子體處理后再鍵合在一起；

(10)70～90℃烘焙1～2h后，即制作出含兩層微溝道結構的三維高通量藥物篩選聚二甲基硅氧烷-玻璃芯片。

7.根據權利要求6所述三維高通量藥物篩選芯片的制備方法，其特征是：步驟(1)中設計的細胞注入和廢液輸出溝道中的細胞注入口為分叉結構。

8.根據權利要求6所述三維高通量藥物篩選芯片的制備方法，其特征是：步驟(1)中設計的藥物濃度梯度溝道為逐級分叉結構。?