[發(fā)明專利]高透光導電膜系

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810046218.5
• 申請日: 2008-10-07
• 公開（公告）號: CN101713834A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 甘國工
• 申請（專利權）人: 甘國工
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;B32B7/02;G06F3/041
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

技術領域：

本發(fā)明涉及具有高透過率和高耐久性的復合導電膜，涉及應用該膜的各種觸 摸屏。

背景技術：

傳統(tǒng)的觸摸屏用的導電薄膜通常是直接在柔性基材上直接濺鍍或者涂布導 電層而成。這種方式的導電膜的透過率不高，所以設置在觸摸屏下的畫面通常偏 暗。經過使用者的多次觸摸后，導電層容易斷裂引起電阻值變化，從而導致觸電 計算的位置漂移或操作無反應。另外，ITO導電膜在300℃左右形成的膜層電阻 值最理想，但由于大多數(shù)柔性樹脂基材的耐溫性只有150℃左右，造成ITO導電 膜方阻降低，所以必須要增加ITO的厚度，才能達到滿足的薄膜方阻。在厚度增 加的時候，膜層透過率必然降低，則需要引入優(yōu)化的光學設計。

如申請?zhí)枮?2803118.0，名稱為透明導電性層疊體及使用該層疊體的透明 觸摸面板的專利申請，公開了一種得到高透光的導電性層疊體膜，在有機高分子 膜的至少一個面上依次疊層光學干涉層，透明導電層，光學干涉層由高折射率層 和低折射率層構成、且低折射率層與透明導電層連接，光學干涉層由交聯(lián)聚合物 構成的透明導電性疊層體中，前述光學干涉層含有由金屬氧化物及/或金屬氟化 物構成的一次粒徑在100nm以下的超微粒子A、以及/或者在高折射率層和低折 射率層的至少其中之一內含有平均一次粒徑在光學干涉層的膜厚1.1倍以上、并 且在1.2μm以下的超微粒子B，其含量在交聯(lián)聚合物的0.5重量％以下。該專利 申請公開了用精密涂布的方式在導電膜層和柔性基層之間形成光學干涉層的方 法，但事實上，精密涂布的方式設備門檻高，穩(wěn)定性差，且容易形成微觀島狀表 面，造成至少數(shù)百nm乃至μm級別的表面起伏，同時疊加的層數(shù)越多則不平度 越無規(guī)律或越嚴重，造成基于其上的透明導電層的厚度也不均勻，嚴重干擾電阻 值的均勻度。其次，涂布方式的膜層本身實際上大多是宏觀非晶態(tài)，形成的晶體 顆粒都過于小，細小的晶體粒子間的結合力弱，在外力的作用下會發(fā)生形變，不 利于觸摸屏的性能穩(wěn)定。另外考慮到用精密涂布方式的膜層楊氏模量最高也只有 幾GPa，且多數(shù)為百MPa，而如果此時ITO薄膜為濺射制備的，楊氏模量在幾十 甚至上百GPa，就像玻璃放在沙灘上，受壓時斷裂的幾率大大增加；如果導電層 也為涂布方式制備的，如上所述，其本身的耐久性也不高，在強外力的作用下會 發(fā)生形變導致光學性質及電阻變化。其次，精密涂布方式的可控性很差，很難做 到膜厚的微調，并且要制造50nm以下的均勻薄膜幾乎是不可能的，而在這些方 面，磁控濺射體現(xiàn)出了極大的優(yōu)勢。再次，如該申請所述的在光學干涉層摻雜有 超微粒子，這樣做會增加觸摸屏的霧度，降低圖像的清晰度。

又如申請?zhí)?00580012780.0，名稱為透明導電性層疊體及觸摸屏的申請， 該申請公開了一種透明導電性層疊體，在厚度為2～120μm的透明薄膜基材的一 側表面，按照透明的第一電介質薄膜、透明的第二電介質薄膜和透明導電性薄膜 的順序依次層疊，在所述薄膜基材的另一表面，通過透明的粘合劑層貼合透明基 體而成，第二電介質薄膜是無機物或有機物和無機物的混合物，形成上述導電性 薄膜的混合物，形成上述導電性薄膜材料的結晶中，最大粒徑為300nm或更小的 結晶含量超過50面積％。所述透明導電性層疊體高度地滿足用作觸摸屏的彎曲筆 輸入耐久性，但也同樣的面臨涂布方式的眾多問題(如前面所述)。同時涂布方 式的薄膜為非晶態(tài)，磁控濺射為均勻結晶形態(tài)。已知導電晶粒的尺寸越大，晶粒 粒徑分布越均勻，薄膜整體導電性越好越穩(wěn)定，所以涂布方式的膜層導電性及均 勻性不如磁控濺射的膜層，如果要達到相同的表面電阻值，涂布導電膜的厚度要 大于濺射導電膜的厚度，較高的厚度無疑增加了材料的光吸收并降低了整體透過 率，而且降低了薄膜強度。值得一提的是，該申請最后的部分實施例也舍棄涂布 方式，轉用PVD的電子束蒸發(fā)鍍膜方法，但是電子束蒸發(fā)鍍膜方法形成的膜層附 著力不如磁控濺射形成的膜層牢度高、致密性好、均勻性好，另外電子束蒸發(fā)鍍 膜方法蒸發(fā)到基材上的材料不是離子化，所以無法實現(xiàn)反應鍍膜，而磁控濺射方 法可以實現(xiàn)反應濺射，如濺射Ti金屬或Nb與氧氣反應得到折射率高的金屬氧化 物材料，又如濺射Si與氮氣反應生成Si₃N₄，或與氧氣反應生成SiO₂，以及這樣 形成的高折射率與低折射率搭配的高透光學膜系。