[發(fā)明專利]高透光導電膜系

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810046218.5
• 申請日: 2008-10-07
• 公開（公告）號: CN101713834A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 甘國工
• 申請（專利權(quán)）人: 甘國工
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;B32B7/02;G06F3/041
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

1.一種高透光導電膜系，在透明基材的一表面依次沉積由高折射率無機介 質(zhì)膜、低折射率無機介質(zhì)膜依次交錯排列形成的至少兩層無機介質(zhì)膜的無機介質(zhì) 膜層及位于該無機介質(zhì)膜層最外層的透明導電膜層，其特征在于透明導電膜層的 厚度為滿足方塊電阻需要的厚度8～60nm，至少兩層的由高折射率無機介質(zhì)膜和 低折射率無機介質(zhì)膜構(gòu)成的無機介質(zhì)膜層和透明導電膜層都采用真空磁控濺射 的方法沉積，從而形成在380nm～780nm光波長范圍內(nèi)整體透過率達到85％以 上的高透光導電膜系，高折射率無機介質(zhì)膜厚度在10至80nm、折射率大于2.25， 低折射率無機介質(zhì)膜厚度在20至150nm、折射率小于1.55，透明導電膜層的折 射率1.7至2.0。

2.如權(quán)利要求1所述的高透光導電膜系，其特征在于透明基材為玻璃板或 樹脂板。

3.如權(quán)利要求1所述的高透光導電膜系，其特征在于透明基材為柔性樹脂 膜。

4.如權(quán)利要求1所述的高透光導電膜系，其特征在于高折射率無機介質(zhì)膜 是氧化鈦或者氧化鈮。

5.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導電膜系，其特征在于至少兩層的 由高折射率和低折射率透光介質(zhì)構(gòu)成的無機介質(zhì)膜層和透明導電膜層的楊氏模 量大于15GPa。

6.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導電膜系，其特征在于透明導電膜層 是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、摻雜了銦的氧化錫、摻雜了銻的氧化錫、摻鋁的氧 化鋅中的至少一種組成的膜層。

7.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導電膜系，其特征在于當透明基材 的折射率為n1，高折射率的無機介質(zhì)膜折射率為n2、低折射率的無機介質(zhì)膜折 射率為n3、透明導電膜層的折射率為n4時，滿足n2＞n1、或n2＞n3、或n4＞n1、 或n4＞n3。

8.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉積至少兩層以TiO₂/SiO₂為單層結(jié)構(gòu)形成的增透減反射膜層。

9.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉積至少兩層以Nb₂O₅/SiO₂為單層結(jié)構(gòu)形成的增透減反射膜層。

10.如權(quán)利要求8所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防 污的有機硅薄膜。

11.如權(quán)利要求8所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機增硬涂層。

12.如權(quán)利要求9所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防 污的有機硅薄膜。

13.如權(quán)利要求9所述的高透光導電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機增硬涂層。