[發(fā)明專利]高透光導(dǎo)電膜系

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810046218.5
• 申請(qǐng)日: 2008-10-07
• 公開（公告）號(hào): CN101713834A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 甘國(guó)工
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 甘國(guó)工
• 主分類號(hào): G02B1/11
• 分類號(hào): G02B1/11;B32B7/02;G06F3/041
• 代理公司: 成都立信專利事務(wù)所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

1.一種高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的一表面依次沉積由高折射率無(wú)機(jī)介 質(zhì)膜、低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜依次交錯(cuò)排列形成的至少兩層無(wú)機(jī)介質(zhì)膜的無(wú)機(jī)介質(zhì) 膜層及位于該無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層最外層的透明導(dǎo)電膜層，其特征在于透明導(dǎo)電膜層的 厚度為滿足方塊電阻需要的厚度8～60nm，至少兩層的由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜和 低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層都采用真空磁控濺射 的方法沉積，從而形成在380nm～780nm光波長(zhǎng)范圍內(nèi)整體透過(guò)率達(dá)到85％以 上的高透光導(dǎo)電膜系，高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度在10至80nm、折射率大于2.25， 低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度在20至150nm、折射率小于1.55，透明導(dǎo)電膜層的折 射率1.7至2.0。

2.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明基材為玻璃板或 樹脂板。

3.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明基材為柔性樹脂 膜。

4.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜 是氧化鈦或者氧化鈮。

5.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于至少兩層的 由高折射率和低折射率透光介質(zhì)構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層的楊氏模 量大于15GPa。

6.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明導(dǎo)電膜層 是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、摻雜了銦的氧化錫、摻雜了銻的氧化錫、摻鋁的氧 化鋅中的至少一種組成的膜層。

7.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于當(dāng)透明基材 的折射率為n1，高折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折射率為n2、低折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折 射率為n3、透明導(dǎo)電膜層的折射率為n4時(shí)，滿足n2＞n1、或n2＞n3、或n4＞n1、 或n4＞n3。

8.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉積至少兩層以TiO₂/SiO₂為單層結(jié)構(gòu)形成的增透減反射膜層。

9.如權(quán)利要求1～4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉積至少兩層以Nb₂O₅/SiO₂為單層結(jié)構(gòu)形成的增透減反射膜層。

10.如權(quán)利要求8所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防 污的有機(jī)硅薄膜。

11.如權(quán)利要求8所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機(jī)增硬涂層。

12.如權(quán)利要求9所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防 污的有機(jī)硅薄膜。

13.如權(quán)利要求9所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機(jī)增硬涂層。