[發明專利]一種以頁為單位的NAND閃存管理方法

有效

• 申請號: 200810045808.6
• 申請日: 2008-08-14
• 公開（公告）號: CN101339537A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: 孫銀明
• 申請（專利權）人: 四川登巔微電子有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所
• 代理人: 方強

技術領域

本發明涉及移動存儲設備的閃存數碼產品，特別是一種以頁為單位的NAND 閃存管理方法。

背景技術

根據現有閃存自身的特性，在出廠和使用過程中都會出現壞塊，必須有相應 的方法來管理。

傳統的管理方法都按照塊為單位進行管理，只要該塊內有壞的位或者是壞的 位數超出了限定值，就將該塊廢棄。這種以塊為單位的管理方法，主要缺點是閃 存利用率低，同時兩種方法的共同缺點是數據的回拷貝消耗較大，這是由閃存的 自身特性決定的。隨著閃存的發展每塊的容量不斷增大，丟棄整塊的做法會產 生很大的浪費，以頁為單位的管理方法就顯得非常的重要。

對于閃存中塊頁和扇區的關系，以三星K9F2G08UOM為例，它由2048個塊組 成，每塊有64個頁組成，每頁有4個扇區組成，每個扇區的大小是512個字節。 閃存大概的發展趨勢是每塊的頁數目增加，目前最大128頁，每頁的扇區數目增 加，有8，16，32不等，即單個塊的容量增大了很多。

對于由生產工藝缺陷造成的閃存損壞，比如所有塊的某頁(或某些頁)全部 損壞，或者某扇區(或某些扇區)損壞，用塊管理的方法就會判定為壞塊，不可 使用，而頁管理的方法就可以利用其中的好頁，使閃存重新得到利用。

發明內容

本發明為解決上述問題提供了一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，特別 適用于壞塊數多且壞塊內有好頁的情況，可以大幅提高閃存的利用率。

本發明的技術方案如下：

一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在于：對閃存進行掃描判斷 得到好頁壞頁，并形成壞頁表，然后剔除壞頁表中的壞頁信息，將壞頁表轉換成 映射表；所述映射表是只有好頁的邏輯地址到物理地址的一個對應關系。

NAND閃存是一種比硬盤更好的存儲介質，“NAND”是與非門的意思，代表其 存儲的原理，這種閃存效率很高，加上存儲單元面積小和寫(編程)和擦除操作的 速率快等優點，使它成為當今低成本消費市場的主要存儲介質。

所述好頁壞頁用一個位表示，即位信息，“1”表示壞頁，“0”表示好頁，8 個頁的好壞位剛好組成一個8位數據，如“20H”，二進制就是“0010?0000”則 表示第6個頁是壞頁，依次類推，閃存有多少頁就有多少個位信息。

所述將壞頁表轉換成映射表，是指將單個位的壞頁信息轉換為物理地址信 息，然后剔除壞頁對應的物理地址信息，最后得到只保留了好頁物理地址信息的 映射表。

所述物理地址信息包括頁所在的塊地址和頁地址，所述物理地址信息為4 個字節。

所述映射表中的邏輯地址是連續的，物理地址是不連續的。

所述壞頁表的位信息分成很多小段來管理，每段的好頁數相等，最后一個段 的好頁數可以不等，每一段就稱為一個區。

所述壞頁表轉換成映射表是按照區來進行的，即一次只轉換一個區，當操作 的邏輯地址不在該區內時，就建立新的區，每個區的大小指定比較靈活，根據閃 存的容量和系統資源來分配。也就是說實際的對閃存的訪問就變成了，先建立壞 頁表，然后根據訪問的閃存的頁地址，計算它在哪個區內，然后建立區的閃存影 射表，得到實際操作的閃存物理地址。

本發明的有益效果如下：

本發明以頁為單位來管理，頁是塊的更小單位，這樣可以把壞塊中的好頁利 用起來，提高閃存的實際可使用容量。同時，該管理方法能將部分廢棄的閃存和 因生產缺陷而無法使用的閃存，重新按照頁的方式來使用，回收利用，有很好的 發展前景。

具體實施方式

實施例1

一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，對閃存進行掃描判斷得到好頁壞頁， 并形成壞頁表，然后剔除壞頁表中的壞頁信息，將壞頁表轉換成映射表；所述映 射表是只有好頁的邏輯地址到物理地址的一個對應關系。

NAND閃存是一種比硬盤更好的存儲介質，“NAND”是與非門的意思，代表其 存儲的原理，這種閃存效率很高，加上存儲單元面積小和寫(編程)和擦除操作的 速率快等優點，使它成為當今低成本消費市場的主要存儲介質。