[發(fā)明專利]一種以頁為單位的NAND閃存管理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810045808.6 | 申請日： | 2008-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN101339537A | 公開（公告）日： | 2009-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫銀明 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川登巔微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/02 | 分類號： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務(wù)所 | 代理人： | 方強 |
| 地址： | 610041四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單位 nand 閃存 管理 方法 | ||
1.一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在于：對閃存進行掃描判 斷得到好頁壞頁，并形成壞頁表，然后剔除壞頁表中的壞頁信息，將壞頁表轉(zhuǎn)換 成映射表；所述映射表是只有好頁的邏輯地址到物理地址的一個對應(yīng)關(guān)系；所述 將壞頁表轉(zhuǎn)換成映射表，是指將單個位的壞頁信息轉(zhuǎn)換為物理地址信息，然后剔 除壞頁對應(yīng)的物理地址信息，最后得到只保留了好頁物理地址信息的映射表。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在 于：所述好頁壞頁用一個位表示，即位信息，“1”表示壞頁，“0”表示好頁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在 于：所述物理地址信息包括頁所在的塊地址和頁地址，所述物理地址信息為4 個字節(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在 于：所述映射表中的邏輯地址是連續(xù)的，物理地址是不連續(xù)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在 于：所述壞頁表的位信息分成很多小段，每段的好頁數(shù)相等，最后一個段的好頁 數(shù)不等，每一段就稱為一個區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以頁為單位的NAND閃存管理方法，其特征在 于：所述壞頁表轉(zhuǎn)換成映射表是按照區(qū)轉(zhuǎn)換的，即一次只轉(zhuǎn)換一個區(qū)。
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