[發明專利]一種高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置無效
| 申請號: | 200810044995.6 | 申請日: | 2008-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN101245441A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 楊傳仁;張瑞婷;張繼華;陳宏偉 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;C23C14/54 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務所 | 代理人: | 劉勛 |
| 地址: | 610054四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高溫 加熱 真空 蒸發 鍍膜 裝置 | ||
技術領域
本發明屬于電子機械技術領域,特別涉及電子薄膜制備技術中的真空蒸發鍍膜裝置。
背景技術
真空蒸發鍍膜是在真空室中,加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到固體表面,凝結形成固態薄膜的方法,由于真空蒸發法或真空鍍膜法主要物理過程是通過加熱蒸發材料而產生,所以又稱熱蒸法。
一般來說,真空蒸發與化學氣相沉積、濺射鍍膜等成膜方法相比,有如下特點:設備簡單,操作容易;制成的薄膜純度高、質量好、厚度可較準確控制;成膜速率快、效率高,用掩膜可以獲得清晰圖形。
現有傳統的真空蒸發系統中,即使是擁有兩組甚至更多蒸發源,都是采用的單一蒸發室,這種結構的缺點會使得不同的蒸發材料在蒸發的過程中很容易相互污染。當蒸發某種高熔點的物質時,蒸發室內殘留的部分低熔點的物質將先與高熔點物質一起被蒸發到基片上,從而影響了蒸發物的純度。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種不但能夠先后蒸發多種不同材料,又能避免不同蒸發材料之間相互污染的高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置。
本發明解決所述技術問題所采用的技術方案是,一種高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置,包括鐘罩、基片夾和設置在基座上的蒸發室,所述蒸發室內設置有加熱裝置,所述基片夾、蒸發室和加熱裝置為至少兩組;各基片夾安裝在基片夾基座上;還包括驅動基片夾基座與基座相對升降、旋轉的驅動裝置。
進一步的,所述驅動裝置設置在鐘罩上,它包括電機和與基片夾基座連接的機械手。
或者,所述基座下方設置有底座,所述驅動裝置設置在基座與底座之間。
更進一步的,所述加熱裝置采用的是蒸發源電極和鎧裝管狀加熱器,所述鎧裝管狀加熱器以內螺旋的形狀設置在各蒸發室的內壁上。所述蒸發室采用不銹鋼隔熱層材料。
本發明的有益效果是,由于分別設置有至少兩個的獨立的蒸發室,即可以對兩種以上的不同材料進行同時蒸發,又可以使基片夾先后蒸發不同的材料,避免了相互污染,保證了蒸發物的純度,同時也提高了蒸發物的利用率,節省了時間,簡化了操作程序。本發明使用鎧裝管狀加熱器可同時提高腔體和基片的溫度,最高溫度可達到600℃,比傳統的基片溫度高,較高的基片溫度可增加基片和蒸發材料的附著性。
以下結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步說明。
附圖說明
圖1為本發明實施例1的結構示意圖。
圖2為本發明實施例1中蒸發室俯視圖。
圖3為本發明實施例1俯視圖。
圖4為本發明實施例2的結構示意圖。
圖5為本發明溫控裝置的結構框圖。
具體實施方式
如圖1、圖2所示,實施例1,本發明包括設置在基座1的兩個獨立的蒸發室,使其可同時蒸發兩種不同的材料而避免了相互之間的污染,保證了蒸發物的純度,所述蒸發室4采用不銹鋼隔熱層材料;兩組獨立的加熱裝置,所述加熱裝置為蒸發源電極2,分別設置在兩個蒸發室內,通過蒸發源電極2兩端連接的電阻絲13進行加熱、蒸發。本實施例為了能夠更好的提高蒸發室內的溫度,提高蒸發材料的利用率,所述加熱裝置還包括以內螺旋的形狀設置在蒸發室內壁的鎧裝管狀加熱器3。從而提高腔體和基片的溫度,最高溫度可達到600℃,比傳統的基片溫度高,較高的基片溫度可增加基片和蒸發材料的附著性;兩組基片夾5,分別連接在基片夾基座6上,所述基片夾基座6通過連接在鐘罩10上的驅動裝置來實現升降和旋轉,所述驅動裝置包括機械手7和電機8,所述機械手7與基片夾基座6連接,電機8與機械手7連接,所述機械手7內設置升降裝置和旋轉裝置,所述升降裝置采用氣壓升降,所述旋轉裝置內設置有轉盤,所述轉盤與電機8連接,每旋轉一次就圍繞中心線軸旋轉180度,如圖3所示,圖中虛線為機械手7旋轉時的運動軌跡。使基片夾5和基片夾基座6即通過機械手7可自動切換到不同的蒸發室進行不同材料的蒸發、鍍膜。由于升降裝置與旋轉裝置均可采用現有技術,故在此不再詳細描述其內部結構。
本實施例對同一基片夾先后蒸發鍍膜兩種不同材料的方法為:首先在兩個蒸發室內分別設置蒸發材料→電機8控制機械手7將基片夾5下降至蒸發室上→將鐘罩9下降關閉→抽取鐘罩9內的空氣→蒸發室加熱→溫度和真空度達到指定值時,開始第一次蒸發鍍膜工作→第一次蒸發工作完成→機械手7上升并旋轉一次,使已經被鍍膜過一次的基片夾旋轉至另一蒸發室上→機械手7再次下降,開始進行第二次蒸發鍍膜工作→第二次蒸發工作完成→關閉高閥、放大氣、鐘罩9上升→機械手7上升→最后取出經兩次蒸發鍍膜后的產品。
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