[發(fā)明專(zhuān)利]單管SONOS NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810044173.8
• 申請(qǐng)日: 2008-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101763892A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳廣龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造器件，具體涉及一種非揮發(fā)性閃存存儲(chǔ)器，尤其涉及一種單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

如圖1所示，在1T?SONOS(硅氧氮氧硅)NOR?FLASH?NVM(單管SONOSNOR型快速非易失性閃存)結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元，采用矩陣陣列布局，由陣列的行(Row)和列(Column)決定每個(gè)存儲(chǔ)單元(Cell)的地址。

如圖2所示，一列同時(shí)需要引出這一列所有存儲(chǔ)單元的位線(xiàn)(Bit?line)和源線(xiàn)(source?line)，在采用金屬布線(xiàn)的時(shí)候，就需要同時(shí)在一個(gè)存儲(chǔ)單位的CELL陣列的高X方向引出這一列(COLUMN)這兩條金屬線(xiàn)。

當(dāng)選中某一個(gè)CELL的時(shí)候，需要選中這個(gè)CELL的位線(xiàn)(Bit?line)，源線(xiàn)(Source?line)，以及字線(xiàn)(Word?line)。如圖3所示，Word?Line放置于ROW方向并由POLY(多晶硅)引出；Bit?line和Source?line都放置于COLUMN方向分別由兩條平行的金屬M(fèi)1引出。

單位CELL的面積由CELL的寬度(Width)和高度(Height)乘積決定。CELL的寬度如圖4所示，由CELL里面的有源區(qū)的寬度(AA?width)加上它們之間的距離(space)，即得到。但是同樣也等于第一層金屬M(fèi)1的寬度(M1?width)和其間距(space)之和。當(dāng)金屬M(fèi)1的能夠容忍的最小寬度和最小間距之和比有源區(qū)AA能夠容忍的最小寬度和最小間距之和比還小的時(shí)候，整個(gè)單體CELL單位面積由金屬線(xiàn)的設(shè)計(jì)規(guī)則決定。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，能縮小存儲(chǔ)單元的尺寸，并且保證存儲(chǔ)單元能正常工作。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)單元采用矩陣陣列布局，兩列存儲(chǔ)單元共用一條源線(xiàn)的布線(xiàn)，以及兩個(gè)存儲(chǔ)單位共用一個(gè)源端。

相鄰兩列存儲(chǔ)單元的源線(xiàn)采用一條金屬線(xiàn)將其引出，相同行相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單位的源端連在一起。

在使用共用源線(xiàn)時(shí)，相同行相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單位的源端連在一起時(shí)的漏電和擊穿電壓應(yīng)滿(mǎn)足電路對(duì)器件的要求：擊穿電壓至少應(yīng)該大于存儲(chǔ)管的最低耐壓，漏電流至少應(yīng)該大于存儲(chǔ)管在讀取低電流情況下的最大讀取電流。

所述擊穿電壓設(shè)置在5～10V之間，所述漏電流設(shè)置在1皮安至1微安之間。

和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：在同樣的工藝條件下，以0.13um技術(shù)為例，在0.46um²的單位CELL面積情況下，使用本發(fā)明的共用源線(xiàn)結(jié)構(gòu)能使存儲(chǔ)器的面積減小超過(guò)10％。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的單管SONOS?NOR型快速非易失性閃存結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)單元陣列布局結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有的單管SONOS?NOR型快速非易失性閃存結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)單元陣列布局的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有的單管SONOS?NOR型快速非易失性閃存結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)單元陣列布局結(jié)構(gòu)所使用的版圖布線(xiàn)示意圖；

圖4是現(xiàn)有的單管SONOS?NOR型快速非易失性閃存結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)單元寬度和高度(面積)的示意圖；

圖5是本發(fā)明的一種陣列布局結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的一種陣列布局結(jié)構(gòu)所使用的版圖布線(xiàn)示意圖；

圖7是本發(fā)明的兩個(gè)選擇管之間的偏置電壓和漏電流的關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

考慮到對(duì)FLASH-NVM(快速閃存)做擦操作時(shí)，都是做BULK?ERASE(全片擦除)，在擦的時(shí)候所有的源線(xiàn)(SOURCE?LINE)都是懸空的(FLOATING)，在對(duì)FLASH-NVM進(jìn)行寫(xiě)(PROGRAM)操作的時(shí)候，所有的SOURCE?LINE則全部都是置于“零電位”，同樣在進(jìn)行讀操作的時(shí)候所有的SOURCE?LINE也全部都是置于“零電位”，參見(jiàn)表1。

表1