[發(fā)明專利]單管SONOS NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810044173.8
• 申請(qǐng)日: 2008-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101763892A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳廣龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/02
• 分類號(hào): G11C16/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)單元采用矩陣陣列布局，其特征在于，兩列存儲(chǔ)單元共用一條源線的布線，以及兩個(gè)存儲(chǔ)單位共用一個(gè)源端。

2.如權(quán)利要求1所述的單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰兩列存儲(chǔ)單元的源線采用一條金屬線將其引出，相同行相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單位的源端連在一起。

3.如權(quán)利要求1或2所述的單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，在使用共用源線時(shí)，相同行相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單位的源端連在一起時(shí)的漏電和擊穿電壓應(yīng)滿足電路對(duì)器件的要求：擊穿電壓至少應(yīng)該大于存儲(chǔ)管的最低耐壓，漏電流至少應(yīng)該大于存儲(chǔ)管在讀取低電流情況下的最大讀取電流。

4.如權(quán)利要求3所述的單管SONOS?NOR型快速閃存存儲(chǔ)單元的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述擊穿電壓設(shè)置在5～10V之間，所述漏電流設(shè)置在1皮安至1微安之間。