[發(fā)明專利]OTP器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810044082.4
• 申請日: 2008-12-10
• 公開（公告）號: CN101752381A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡曉明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/822
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種OTP器件結(jié)構(gòu)，所述OTP器件包括晶體管區(qū)域和電容區(qū)域，所述 晶體管區(qū)域包含晶體管有源區(qū)，所述電容區(qū)域包括浮柵以及位于浮柵兩側(cè) 的電容有源區(qū)，所述電容區(qū)域的所述浮柵和所述晶體管區(qū)域的控制柵共用 多晶硅，所述電容區(qū)域的所述浮柵兩側(cè)的所述電容有源區(qū)引出所述電容區(qū) 域的源極和漏極；其特征在于：所述電容區(qū)域還包括位于所述浮柵下方兩 側(cè)，相互分離且分別包含所述電容有源區(qū)的兩個(gè)額外離子注入?yún)^(qū)域，所述 額外離子注入?yún)^(qū)域部分位于浮柵下方，所述額外離子注入?yún)^(qū)域的注入離子 類型與電容有源區(qū)的離子類型相同，所述額外離子注入?yún)^(qū)域的離子濃度小 于電容有源區(qū)的離子濃度。

2.一種制備權(quán)利要求1所述OTP器件結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，在有源 區(qū)注入之前，先進(jìn)行離子注入在電容區(qū)域形成額外離子注入?yún)^(qū)的步驟，所 述額外離子注入?yún)^(qū)位于浮柵下方兩側(cè)，相互分離且分別包含OTP器件中兩個(gè) 電容有源區(qū)，所述額外離子注入?yún)^(qū)部分位于浮柵下方；具體工藝步驟包括： 先利用光刻工藝定義出離子注入?yún)^(qū)域，后進(jìn)行額外離子注入，之后進(jìn)行退 火使額外離子注入?yún)^(qū)域橫向擴(kuò)散。

3.按照權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述額外離子注入中注 入離子為：砷，其注入濃度為：5×10¹³-5×10¹⁴個(gè)原子/平方厘米之間，注 入能量為：50-100Kev。

4.按照權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述額外離子注入?yún)^(qū) 域的退火工藝條件與器件源漏區(qū)的退火工藝條件相同。