[發明專利]提高LDMOS晶體管中的崩潰電壓的方法無效
| 申請號： | 200810044080.5 | 申請日： | 2008-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN101752418A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;羅嘯;熊濤;陳瑜;陳雄斌 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 ldmos 晶體管 中的 崩潰 電壓 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高LDMOS晶體管中的崩潰電壓的方法，所述LDMOS晶體管中的多晶硅覆蓋于整個溝道區，并延伸到漏端直至部分場氧化區上，其特征在于：位于溝道區上的多晶硅和位于漏端的多晶硅相互分離。
2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述位于漏端的多晶硅的長度保證覆蓋所述場氧化區的尖端區域。
3.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述位于溝道區上的多晶硅上在后續制程中通過接觸孔進行電連接，而位于漏端多晶硅為浮置多晶硅。
4.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于：位于漏端上的多晶硅為包含至少兩段相分離的多晶硅。
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