[發明專利]一種GGNMOS器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810044024.1
• 申請日: 2008-11-27
• 公開（公告）號: CN101740616A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 錢文生
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種GGNMOS器件，其特征是：該器件包括：

P型硅襯底(10)，在該器件最下層；

深N阱(11)，在所述P型硅襯底(10)之上，所述深N阱(11)是在 P型硅襯底(10)中采用離子注入工藝注入N型雜質和高溫爐退火形成的；

P阱(12)，在所述深N阱(11)之上，所述P阱(12)內包括源極(23)、 溝道(22)、漏極(24)和ESD離子注入區(18)；

所述ESD離子注入區(18)在所述漏極(24)的最外側的下方；

柵氧化層(13)，在所述P阱的溝道(22)之上；

柵極(21)，在所述柵氧化層(13)之上；

氮化硅側墻(16)，在所述柵氧化層(13)和柵極(21)的兩側壁；

氮化硅阻擋層(19)，在所述漏極(24)的上方且在氮化硅側墻(16) 和ESD離子注入區(18)之間；

金屬硅化物(20)，在所述GGNMOS器件表面未被氮化硅(16、19)覆 蓋的區域。

2.根據權利要求1所述的GGNMOS器件，其特征是：所述ESD離子注 入區(18)上方的漏極(24)的結深小于其余區域的漏極(24)的結深。

3.一種如權利要求1所述的GGNMOS器件的制造方法，其特征是：該 方法包括如下步驟：

第1步，在P型硅襯底(10)上采用離子注入工藝注入N型雜質，形 成深N阱(11)，再采用高溫爐退火；

第2步，在P型硅襯底(10)上采用離子注入工藝注入P型雜質，在 所述深N阱(11)上方形成P阱(12)；

第3步，在硅片表面生長一層氧化硅(13)，再淀積一層多晶硅(14)；

第4步，在硅片上采用光刻和刻蝕工藝形成多晶硅柵極(21)，接著在 硅片上采用輕摻雜離子注入工藝注入N型雜質，在柵極(21)的兩側形成 輕摻雜源注入區(151)和輕摻雜漏注入區(152)；

第5步，在硅片表面淀積一層氮化硅(16)，反刻該層氮化硅(16)在 柵極(21)的兩側壁留下氮化硅側墻(16)；

第6步，在硅片上采用源漏離子注入工藝注入N型雜質，在柵極(21) 的兩側形成源極(23)和漏極(24)；

第7步，在硅片上采用光刻和離子注入工藝在所述漏極(24)的最外 側下方注入P型雜質，形成ESD離子注入區(18)；

第8步，在硅片表面淀積一層氮化硅(19)，然后采用光刻和刻蝕工藝 僅保留漏極(24)之上且在氮化硅側墻(16)和ESD離子注入區(18)之 間的氮化硅(19)；

第9步，在硅片表面淀積難熔金屬，接著進行高溫退火處理，在未被 氮化硅(16、19)覆蓋的區域形成金屬硅化物(20)。

4.根據權利要求3所述的GGNMOS器件的制造方法，其特征是：所述 方法的第1步中，離子注入磷的劑量為5×10¹²ions/cm²～1.5×10¹³ions/cm²， 注入能量為1000keV～2000keV，高溫爐退火的溫度為1100℃～1200℃， 時間為1～3小時。

5.根據權利要求3所述的GGNMOS器件的制造方法，其特征是：所述 方法的第2步中，進一步地在P阱(12)進行閾值電壓調整離子注入。

6.根據權利要求3所述的GGNMOS器件的制造方法，其特征是：所述 方法的第9步中，所述源極(23)上方、所述柵極(21)上方和所述ESD 離子注入區(18)上方為所述金屬硅化物(20)覆蓋，所述漏極(24)上 方且在氮化硅側墻(16)和ESD離子注入區(18)之間的區域為氮化硅(16、 19)覆蓋。