[發明專利]利用多晶硅場極板保護溝道區的LDMOS結構

無效

• 申請號: 200810043933.3
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN101740614A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 陳華倫;陳瑜;熊濤;羅嘯;陳雄斌
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種利用多晶硅場極板保護溝道區的LDMOS結構，包括深阱、源極、漏極、柵極和溝道區，其中，源極、漏極、柵極和溝道區都在深阱中，源極和溝道區位于柵極的一側，漏極位于柵極的另一側，源極、深阱和漏極的摻雜類型相同，源極、深阱和溝道區的摻雜類型相反，其特征在于，在溝道區與深阱邊緣上方設有多晶硅場極板，或在溝道區與漏極的PN結邊緣上方設有多晶硅場極板。

2.如權利要求1所述的利用多晶硅場極板保護溝道區的LDMOS結構，其特征在于：所述的多晶硅場極板呈環狀覆蓋住溝道區與深阱或漏極的PN結。