[發(fā)明專利]利用空氣環(huán)改善CIS成像質(zhì)量的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810043931.4 | 申請日： | 2008-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN101740496A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳華倫;熊濤;陳瑜;陳雄斌;羅嘯 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L27/146;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 空氣 改善 cis 成像 質(zhì)量 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種利用空氣環(huán)改善CIS成像質(zhì)量的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、化學(xué)氣相淀積形成第一層介質(zhì)層，并進行平坦化；
步驟二、形成通孔及金屬層；
步驟三、重復(fù)步驟一和步驟二直到鈍化層之前的介質(zhì)層和金屬層完成；
步驟四、將像素四周一圈的介質(zhì)層刻蝕掉，直到光電二極管表面；
步驟五、以非一致性化學(xué)氣相淀積的方式淀積鈍化層，形成一個包圍像素的空氣環(huán)。
2.如權(quán)利要求1所述的利用空氣環(huán)改善CIS成像質(zhì)量的方法，其特征在于，所述步驟一中形成的第一層介質(zhì)層包括磷硅玻璃或二氧化硅或磷硅玻璃和二氧化硅的疊加。
3.如權(quán)利要求1所述的利用空氣環(huán)改善CIS成像質(zhì)量的方法，其特征在于，步驟一中所述的平坦化包括化學(xué)機械研磨或回刻蝕。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
