[發明專利]硅片承載舟及其制造方法

無效

• 申請號: 200810043755.4
• 申請日: 2008-09-03
• 公開（公告）號: CN101667551A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 鄒建祥;顧華平;吳智翔
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;B08B3/04
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

技術領域

本發明涉及半導體技術的硅片清洗技術領域，特別的涉及一種在硅片清洗工藝中用的硅片承載舟，為此本發明還涉及這種硅片承載舟的制造方法。

背景技術

硅片承載舟是用于集成電路生產線的濕法洗凈設備中的硅片承載的專用工具。硅片放在承載舟內，可以在藥液中清洗或刻蝕、在純水中清洗、在干燥機中干燥。

承載舟內有間隔相等的溝槽，硅片可以擺放在這些溝槽內。作為專門運載硅片的工具，硅片承載舟需要與硅片接觸，以保證其運載的穩定，但同時又希望其接觸面積能夠達到最小。

目前所使用的硅片承載舟，其溝槽形狀為連續性，與硅片邊緣是全接觸型式，且接觸面積大，容易產生硅片邊緣處理不充分，有水跡殘留等現象。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種硅片承載舟，能使硅片邊緣在各種環節中得到充分的處理，為此本發明還提供這種硅片承載舟的制造方法。

為解決上述技術問題，本發明硅片承載舟的技術方案是，硅片承載舟的溝槽側面包含多個斷面。

本發明制作硅片承載舟的方法的技術方案是，以聚四氟乙稀或者四氟乙烯為原材料，注射成型。

本發明制作硅片承載舟的方法的另一種技術方案是，以聚四氟乙稀或者四氟乙烯為原材料，通過熱成型得到平滑溝槽的硅片承載舟，再通過機加工制作斷面。

本發明的硅片承載舟，其溝槽側面與硅片接觸的面積比較小，在硅片的清洗、刻蝕和干燥過程中減少了硅片承載舟溝槽側面與硅片的接觸面積，減小了在上述過程中因為與硅片承載舟溝槽側面接觸而處理不充分的硅片面積。既保證了硅片承載舟運載的穩定性，又使得硅片的處理更加充分。本發明制作硅片承載舟的方法采用熱成型方法制造上述的硅片承載舟。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明：

圖1本發明硅片承載舟實施例結構示意圖；

圖2為硅片承載舟溝槽側面斷面局部放大圖。

圖中附圖標記中，硅片為10，錯齒狀溝槽為20，硅片承載舟為30。

具體實施方式

硅片承載舟30內有間隔相等的溝槽，在利用硅片承載舟30承載硅片10時，硅片10可以擺放在這些溝槽內，各個溝槽之間由溝槽的側面相隔開，并且該溝槽側面將硅片相互隔開，防止硅片之間相互接觸。當硅片在藥液中進行清洗或刻蝕，或者在純水清洗，在干燥機中干燥時，硅片與承載舟的溝槽側面接觸的邊緣容易處理不充分。本發明的硅片承載舟30，它的溝槽側面包含有多個斷面，使得溝槽側面與硅片10的接觸的面積變小，這些斷面的高度相同，也可以不相同。并且這些可以為連續的，在溝槽側面連續布滿一個接一個的呈錯齒狀分布的斷面；斷面也可以不相連續，在斷面之間間隔有正常高度的溝槽側面，斷面之間間隔的正常溝槽側面的長度相等或不相等。在本發明中，溝槽側面的斷面可以為任意一種形狀的斷面，如三角形斷面，或者半圓形斷面，或者梯形斷面，方形斷面，弧形斷面。

如圖1和圖2所示，硅片承載舟30的溝槽側面連續分布了三角形斷面，溝槽兩邊側面上的斷面相互成錯齒狀，形成錯齒狀溝槽20，在硅片承載舟30上放置硅片10時，由于溝槽側面的形狀不是連續的，硅片10與硅片承載舟30溝槽側面的接觸面不是全接觸形式，而僅僅與溝槽側面剩余的部分接觸，大大減小了硅片10與溝槽側面的接觸面積。

由于在斷面上藥液和水漬不容易殘留，而硅片承載舟溝槽側面的面積也因為斷面的存在而變小，能夠有效的降低藥液和水漬的粘附面積，這樣硅片邊緣與硅片承載舟溝槽側面的有效接觸面積變小，在對硅片承載舟上的硅片進行處理時，硅片邊緣部分受外界的影響達到最小，同時也使對硅片的工藝處理更加充分。

例如，當對硅片進行干燥時，水漬不容易殘留在硅片邊緣，硅片更容易被干燥；當對硅片進行清洗時，硅片的邊緣不會因為與硅片承載舟溝槽的連續接觸而得不到有效的處理，位于硅片邊緣的位置也會與清洗液充分接觸，而得到有效的清洗；當對硅片進行刻蝕時，硅片的邊緣可以與藥液充分反映，刻蝕做的更徹底。可以看出，本發明的硅片承載舟對硅片工藝處理的影響會降低到最小。