[發明專利]反應室的清潔方法

有效

• 申請號: 200810042802.3
• 申請日: 2008-09-11
• 公開（公告）號: CN101670345A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 王炎雷
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉粉寶

技術領域

本發明涉及一種半導體設備的清潔方法，特別涉及一種反應室的清潔方法。?

背景技術

隨著半導體元件尺寸的逐漸縮小，對于半導體設備清潔度的要求也日益提升。舉例來說，蝕刻機臺的反應室在使用一段時間后，會在其內壁沉積聚合物(polymer)，如此一來，蝕刻速率就會下降，而造成晶圓片硅-硅鍵(wafer-to-wafer)之間微距(critical?dimension；CD)或膜厚的差異。?

因此，蝕刻機臺會定期進行無晶圓自動清洗(waferless?auto?clean；WAC)程序，將反應室中的聚合物移除，不但可以避免蝕刻速率的不一致，也可以避免聚合物過多而掉落到晶圓上造成污染。?

通常的WAC程序主要是使用SF₆來去除聚合物。然而，殘留在反應室中的SF₆會影響后續某些對硫元素特別敏感的制程。舉例來說，在進行PMOS的深溝渠(deep?trench)制程時，發現蝕刻環境中如果摻有硫元素，會導致產品電性異常，良品率降低。?

因此，如何在不使用SF₆的情況下，有效去除反應室的聚合物，已成為業者極力發展的目標之一。?

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種反應室的清潔方法，可以在不使用SF₆氣體的情況下，有效去除反應室的聚合物。?

本發明提供一種反應室的清潔方法，首先，進行第一清潔步驟，第一清潔步驟包括將含氟氣體、含氧氣體及一含氯氣體通入反應室，其中含氟氣體不包括含硫的氟化物，且其中在進行所述第一清潔步驟時，所述反應室的壓力先設定為介?于60～90毫托之間，再設定為介于10～20毫托之間；然后，進行第二清潔步驟，第二清潔步驟僅包括將O₂通入反應室。?

在本發明一個實施例中，所述含氟氣體包括氟碳化合物或氟氮化合物。?

在本發明一個實施例中，所述氟碳化合物包括C₂F₆、CF₄或C₄F₈。?

在本發明一個實施例中，所述氟氮化合物包括NF₃。?

在本發明一個實施例中，所述氟碳化合物或氟氮化合物中的部份氟原子被氫原子取代。?

在本發明一個實施例中，所述含氧氣體包括CO₂、N₂O或O₂。?

在本發明一個實施例中，所述第一清潔步驟的壓力不小于第二清潔步驟的壓力。?

在本發明一個實施例中，所述第二清潔步驟中設定反應室的壓力介于10～20毫托之間。?

在本發明一個實施例中，所述含氟氣體的流量介于100～150sccm之間。?

在本發明一個實施例中，所述含氧氣體的流量介于100～300sccm之間。?

在本發明一個實施例中，所述第二清潔步驟中的O₂的流量介于100～200sccm之間。?

在本發明一個實施例中，所述反應室的清潔方法，進一步包括進行第三清潔步驟，其包括將Cl₂通入反應室。?

在本發明一個實施例中，所述第三清潔步驟中設定反應室的壓力介于10～20毫托之間。?

在本發明一個實施例中，所述第三清潔步驟中的Cl₂的流量介于150～200sccm之間。?

在本發明一個實施例中，所述反應室包括頂部電源與底部電源，且所述反應室的清潔方法還包括設定頂部電源為介于700～1100瓦之間，以及設定底部電源為0瓦。?

在本發明一個實施例中，所述含氯氣體包括Cl₂。?

在本發明一個實施例中，所述含氯氣體的流量介于20～40sccm之間。?

綜上所述，本發明的反應室的清潔方法以氟碳化合物或氟氮化合物取代SF₆，相對于通常的方法具有較佳的清潔效果，不但可以有效地去除反應室的聚合物，同時可以減少機臺維護保養的頻率，為一相當有競爭力的作法。?

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。?

附圖說明

圖1為本發明一個實施例的一種反應室的清潔方法的流程示意圖；?