[發(fā)明專利]柵結(jié)構(gòu)上金屬層的監(jiān)控方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810042588.1
• 申請日: 2008-09-05
• 公開（公告）號: CN101667550A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王吉星
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種柵結(jié)構(gòu)上金屬層的監(jiān)控方法，該監(jiān)控方法包括以下步驟：

提供一種測試元件，所述測試元件包括N型離子注入?yún)^(qū)、P型離子注入?yún)^(qū) 和橫跨所述N型離子注入?yún)^(qū)和P型離子注入?yún)^(qū)的柵結(jié)構(gòu)，其中柵結(jié)構(gòu)表面覆蓋 有金屬層；

測試覆蓋有金屬層的柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)；

監(jiān)控測試的柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)是否符合標準柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)，其中標準柵結(jié) 構(gòu)電性參數(shù)為覆蓋的金屬層完整時所測出的柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述測試元件制作在晶圓的切 割道上。

3.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述柵結(jié)構(gòu)兩端分別具有一用 于測試柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)的金屬焊盤。

4.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述測試的柵結(jié)構(gòu)電性參數(shù)為 方塊電阻。

5.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述制作的柵結(jié)構(gòu)測試元件柵 結(jié)構(gòu)呈“方波”，以N型離子注入?yún)^(qū)和P型離子注入?yún)^(qū)界面為方波X軸，對稱 分布于N型離子注入?yún)^(qū)和P型離子注入?yún)^(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述柵結(jié)構(gòu)表面覆蓋的金屬層 為鈷、鎳或鈦。