[發明專利]鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200810042161.1
• 申請日: 2008-08-28
• 公開（公告）號: CN101343729A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 張叢春;王亞攀;石金川;楊春生
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1、一種鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步、靶材的制備：

1)以Ni₂O₃、La₂O₃氧化物粉末為起始原料，將La₂O₃氧化物粉末在750～800℃預燒2～3h；預燒完按照Ni₂O₃和La₂O₃的質量比為1∶1的比例配料；

2)配比混合好的物料在800℃到900℃溫度中預燒2到4小時；

3)預燒好的物料在球磨機中球磨12到20小時，球磨介質是丙酮；

4)將球磨好的物料壓成直徑為50mm，厚度為4mm的圓片；

5)將圓片在1050℃到1150℃的高溫中燒結2到4小時，得到濺射所需的陶瓷靶；

第二步、薄膜材料的制備：

濺射機的參數分別為：靶與基底間距離為100mm，背底真空壓強10-4帕，濺射本底壓強為1.33帕，襯底原位加熱到溫度為240℃到320℃時，通入氬氣和氧氣，調整氧分壓為10％到25％，射頻功率為60到120w進行濺射，然后通過X射線衍射法分析LNO薄膜晶體的晶向。

2、根據權利要求1所述的鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征是，第一步中所述La₂O₃氧化物粉末的預燒溫度為800℃。

3、根據權利要求1所述的鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征是，第一步中所述預燒好的物料的球磨時間為12小時。

4、根據權利要求1所述的鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征是，第一步中所述圓片的燒結溫度為1100℃。

5、根據權利要求1所述的鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征是，第二步中所述濺射時間為12到60分鐘。

6、根據權利要求1所述的鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，其特征是，第二步中所述濺射薄膜的厚度為60到300nm。