[發(fā)明專利]晶圓級封裝對象及其形成的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810041985.7
• 申請日: 2008-08-20
• 公開（公告）號: CN101350320A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邵鳴達(dá);俞國慶;王蔚;李瀚宇;黃小花
• 申請（專利權(quán)）人: 晶方半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/50;B81C3/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李麗

1.一種形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，包括步驟：

提供兩個以上的重組單元和襯底、基底，每個重組單元上具有至少兩個芯片，所述基底上形成有空腔壁；將所述兩個以上的重組單元有電路一面的相對面粘接在所述襯底上；

將粘接在所述襯底上的重組單元有電路的一面與基底進(jìn)行粘合，所述重組單元上的芯片落入所述基底上的空腔壁所形成的空腔內(nèi)，形成晶圓級封裝對象。

2.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：將所述重組單元按陣列排布粘接在所述襯底上。

3.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，還包括步驟：去除所述襯底。

4.如權(quán)利要求3所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，還包括步驟：對所述重組單元形成有電路一面的相對面進(jìn)行減薄。

5.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：制造所述基底的材料包括玻璃或硅。

6.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述重組單元包括單個芯片、含有兩個以上芯片的晶圓部件或封裝半成品。

7.如權(quán)利要求6所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，所述封裝半成品經(jīng)過下述步驟形成：

將晶圓與基底粘合形成雙層結(jié)構(gòu)；

將所述雙層結(jié)構(gòu)切割成封裝半成品。

8.如權(quán)利要求6所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述晶圓部件由晶圓切割或晶圓斷裂而形成。

9.如權(quán)利要求8所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述晶圓切割去除晶圓表面有裂紋的部分。

10.如權(quán)利要求6或7所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述封裝半成品內(nèi)封裝有單個芯片或含有兩個以上芯片的晶圓部件。

11.如權(quán)利要求6所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述芯片包括集成電路芯片、傳感器芯片或微機電元件。

12.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：粘接所述重組單元和襯底的粘接劑為UV膠或蠟粘合劑。

13.如權(quán)利要求1所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述襯底輪廓的外接球的直徑大于等于100mm。

14.由權(quán)利要求1至13中的任一項所述方法形成的晶圓級封裝對象。

15.一種形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，包括步驟：

提供晶圓切割或晶圓斷裂而形成的晶圓部件和粘合用的基底、襯底，所述晶圓部件上具有至少兩個芯片，所述基底上形成有空腔壁；

將所述兩個以上的重組單元有電路一面的相對面粘接在所述襯底上；

將所述晶圓部件形成有電路的一面與所述基底進(jìn)行粘合，所述重組單元上的芯片落入所述基底上的空腔壁所形成的空腔內(nèi)，形成晶圓級封裝對象。

16.如權(quán)利要求15所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，還包括步驟：去除所述晶圓部件露出所述襯底邊緣的部分。

17.如權(quán)利要求15所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，還包括步驟：去除所述襯底。

18.如權(quán)利要求15或17所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于，還包括步驟：對所述晶圓部件形成有電路一面的相對面進(jìn)行減薄。

19.如權(quán)利要求17所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述晶圓部件有兩個以上。

20.如權(quán)利要求17所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：粘接所述晶圓部件和襯底的粘接劑為UV膠或蠟粘合劑。

21.如權(quán)利要求15所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：制造所述基底的材料包括玻璃或硅。

22.如權(quán)利要求15所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述基底輪廓的外接球的直徑大于等于100mm。

23.如權(quán)利要求15所述的形成晶圓級封裝對象的方法，其特征在于：所述晶圓切割去除晶圓表面有裂紋的部分。