[發(fā)明專利]淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810040567.6 | 申請日： | 2008-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN101630654A | 公開（公告）日： | 2010-01-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙猛;王津洲 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 絕緣 高度 確定 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供絕緣層高度不同的淺溝槽隔離結構，在淺溝槽隔離結構上橫跨有柵極；
在柵極上加固定值的電壓，測量淺溝槽隔離結構上凹陷處的電場；
得到淺溝槽隔離結構上凹陷處的電場與淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的關系曲線；
將最小電場值對應的淺溝槽內(nèi)絕緣層高度選定為最佳值。
2.根據(jù)權利要求1所述淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法，其特征在于，所述 淺溝槽隔離結構上的電場為淺溝槽內(nèi)絕緣層與半導體襯底表面交合處的電 場或淺溝槽內(nèi)壁處的電場。
3.根據(jù)權利要求1所述淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法，其特征在于，所述 固定值的電壓為1.5V～3.5V。
4.根據(jù)權利要求3所述淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法，其特征在于，所述 固定值的電壓為2.5V～3.3V。
5.根據(jù)權利要求1所述淺溝槽內(nèi)絕緣層高度的確定方法，其特征在于，所述 柵極材料為多晶硅。
下載完整專利技術內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810040567.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種組裝式點火器用預制板
- 下一篇：冶煉球團豎爐
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
