[發明專利]用以減少暗電流的ONO側墻刻蝕工藝有效
| 申請號： | 200810040366.6 | 申請日： | 2008-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN101625996A | 公開（公告）日： | 2010-01-13 |
| 發明（設計）人： | 霍介光;楊建平 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201210*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用以 減少 電流 ono 刻蝕 工藝 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器件的形成方法，包括：
提供具有P型雜質特性的半導體襯底，所述半導體襯底包括表面區域；
形成覆蓋表面區域的柵氧化層；
形成覆蓋柵氧化層的第一部分的第一柵結構，所述第一柵結構具有上表面區域和至少側面區域；
在部分半導體襯底內形成N型雜質區域，以至少由N型雜質區域和P型雜質區域形成光電二極管器件區域；
形成覆蓋至少第一柵結構的毯式側墻層，所述側墻層包括頂部氧化層-中間氮化層-底部氧化層結構；
利用毯式刻蝕工藝刻蝕毯式側墻層，所述底部氧化層用作刻蝕停止層，刻蝕停止在底部氧化層，形成用于第一柵結構的一個或者多個側墻結構，同時保留頂部氧化層-中間氮化層-底部氧化層中的部分底部氧化層來覆蓋至少光電二極管器件區域，所述底部氧化層的厚度為80埃至200埃，并且完全沒有氮化硅。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述部分底部氧化層中不含氮化物。
3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述底部氧化層為停止層。
4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述底部氧化層減小了N型雜質區域以及N型區域中的襯底表面與柵氧化層的界面上的一個或者多個表面缺陷。
5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述一個或者多個側墻結構使用側墻刻蝕工藝形成。
6.根據權利要求5所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述覆蓋光電二極管器件區域的氧化層在側墻刻蝕工藝中使用遮蔽層保護。
7.根據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述遮蔽層包括光刻膠材料。
8.根據權利要求5所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
在側墻刻蝕工藝中，所述覆蓋光電二極管區域的氧化層減少了對光電二極管區域的柵氧化層以及柵氧化層/襯底界面的損傷。
9.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，
所述CMOS圖像傳感器具有降低的暗電流泄漏。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
