[發明專利]生產多晶硅的方法無效
| 申請號： | 200810040240.9 | 申請日： | 2008-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN101319363A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 袁建中 | 申請（專利權）人： | 上海通用硅晶體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/14;C30B25/00;C01B33/03 |
| 代理公司： | 上海開祺知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李蘭英 |
| 地址： | 201900上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生產 多晶 方法 | ||
1.一種多晶硅的生產方法，在還原爐中用電加熱硅棒，使SiHCl3在H2氣氛中還原，所得到的硅在硅棒的表面上沉積而生成多晶硅，其特征在于，在硅棒內加入雜質，降低電阻率，提高導電性。
2.根據權利要求1所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，在硅棒內加入的雜質是與多晶硅產品應用的相同的雜質材料。
3.根據權利要求1所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，在硅棒內加入的雜質濃度是與多晶硅產品應用的相同的雜質濃度。
4.根據權利要求1所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，在硅棒內加入的雜質濃度是產品的所用的不相同的雜質濃度。
5.根據權利要求1所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的加入硅棒中的雜質是III族材料。
6.根據權利要求5所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的III族材料為硼。
7.根據權利要求6所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的硼的濃度必須大于4.42×1012cm-3。
8.根據權利要求1所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的加入硅棒中的雜質是V族材料。
9.根據權利要求8所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的V族材料是磷或砷或銻。
10.根據權利要求9所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的砷的濃度大于1.47×1012cm-3。
11.根據權利要求9所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的磷的濃度大于1.47×1012cm-3。
12.根據權利要求9所述的多晶硅的生產方法，其特征在于，所述的銻的濃度大于1.47×1012cm-3。
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