[發(fā)明專利]編程電壓控制的復(fù)位閃存

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810040233.9
• 申請(qǐng)日: 2008-07-04
• 公開（公告）號(hào): CN101339949A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹子貴;張博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈蘅

1.一種編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于包括：

第一交界區(qū)域和第二交界區(qū)域，位于基底的兩端，第三交界區(qū)域，位于所述基底中間；

第一源極和第二源極，與所述基底相連，交界處分別位于所述第一交界區(qū)域和所述第二交界區(qū)域的中間位置；

漏極與所述基底相連，交界處位于所述第三交界區(qū)域的中間位置；

第一區(qū)域三柵，包括第一控制柵、第一浮柵和第一可編程?hào)牛龅谝粎^(qū)域三柵皆處于所述第一源極和所述漏極之間，所述第一控制柵位于所述第一浮柵的一側(cè)，所述第一控制柵與所述第一浮柵皆和所述基底相連，所述第一可編程?hào)藕退龅谝桓畔噙B；

第二區(qū)域三柵，包括第二控制柵、第二浮柵和第二可編程?hào)牛龅诙^(qū)域三柵皆處于所述第二源極和所述漏極之間，所述第二控制柵位于所述第二浮柵的一側(cè)，所述第二控制柵與所述第二浮柵皆和所述基底相連，所述第二可編程?hào)藕退龅诙畔噙B。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于：第一溝道在所述基底內(nèi)，位于所述第一交界區(qū)和所述第三交界區(qū)之間，緊挨所述第一浮柵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于：所述第一浮柵與所述基底中的所述第一溝道間以一氧化層分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于：第二溝道在所述基底內(nèi)，位于所述第二交界區(qū)和所述第三交界區(qū)之間，緊挨所述第二浮柵。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于：所述第二浮柵與所述基底中的所述第二溝道間以一氧化層分離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程電壓控制的復(fù)位閃存，其特征在于：復(fù)位閃存采用多晶硅作為存儲(chǔ)區(qū)，通過不同的編程電壓來(lái)控制熱電子注入多晶硅層的數(shù)量。