[發明專利]刻蝕閃存中介電存儲層的方法有效
| 申請號： | 200810040226.9 | 申請日： | 2008-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN101621033A | 公開（公告）日： | 2010-01-06 |
| 發明（設計）人： | 李雪;許宗能;楊海玩;吳佳特 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201210*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 閃存 中介 存儲 方法 | ||
1.一種刻蝕閃存中介電存儲層的方法，提供半導體襯底以及依次位于半導體襯底上的柵介質層、第一半導體層，位于柵介質層、第一半導體層以及半導體襯底內的淺溝槽，布置于第一半導體層與淺溝槽的遠離半導體襯底表面的連續的介電存儲層、第二半導體層，以及具有開口結構的硬掩模層，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
以硬掩模層作為阻擋層，刻蝕第二半導體層，至露出介電存儲層；
利用濕法腐蝕方法對硬掩膜層進行腐蝕，在不影響第二半導體層的情況下將硬掩膜層全部除去，而介電存儲層在此步驟中不會被完全除去；
采用干法刻蝕去除介電存儲層。
2.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的方法采用含有HF的液體作為腐蝕液。
3.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的方法采用含有CF4的氣體作為刻蝕氣體。
4.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述半導體襯底為單晶硅襯底。
5.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述柵介質層和硬掩模層的材料為氧化硅。
6.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述介電存儲層中包括氧化硅-氮化硅-氧化硅三層復合結構。
7.根據權利要求1所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述第一半導體層和第二半導體層的材料為多晶硅。
8.根據權利要求7所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述刻蝕第二半導體層采用干法刻蝕的方法。
9.根據權利要求8所述之刻蝕閃存中介電存儲層的方法，其特征在于，所述刻蝕第二半導體層的干法刻蝕方法，刻蝕氣體的成分中至少含有Cl2和HBr中的一種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
