[發(fā)明專利]一種透明半導(dǎo)體薄膜二極管及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810039602.2
• 申請(qǐng)日: 2008-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN101308877A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張群;王穎華;施展
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/267;H01L21/329;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1、一種透明半導(dǎo)體薄膜二極管，其特征是由一層p型導(dǎo)電摻鋅硫化銅鋁CuAlS₂:Zn透明薄膜和一層n型導(dǎo)電摻鎢氧化銦In₂O₃:W透明薄膜構(gòu)成。其p-n結(jié)厚度為100-500nm，其中，摻鋅硫化銅鋁中鋅的摻雜量為鋁質(zhì)量的1％-5％，摻鎢氧化銦中鎢的摻雜量為銦質(zhì)量的1％-3％。

2、一種如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體薄膜二極管的制備方法，其特征在于包括p型摻鋅硫化銅鋁透明薄膜制備和n型摻鎢氧化銦透明薄膜的制備；其中：

p型導(dǎo)電摻鋅硫化銅鋁CuAlS₂:Zn透明薄膜的制備采用脈沖等離子體沉積鍍膜方法，具體步驟如下：以按鋅和鋁質(zhì)量比例制備的摻鋅硫化銅鋁CuAlS₂:Zn陶瓷靶為靶材，玻璃為基板，在室溫條件下，用脈沖電子束轟擊靶材，使靶材被燒蝕出來并利用剩余的動(dòng)能運(yùn)動(dòng)到基板表面沉積，其中，工作氣體為Ar，氣壓維持在2.2～2.4Pa；高壓直流功率輸出源設(shè)定工作電壓為-16～-19kV，工作電流為3.6～4.8mA，脈沖電子束重復(fù)頻率為1.5～2.5Hz，沉積時(shí)間為60～180分鐘，形成具有非晶結(jié)構(gòu)的p型導(dǎo)電CuAlS₂:Zn透明薄膜；

n型導(dǎo)電摻鎢氧化銦In₂O₃:W透明薄膜的制備采用反應(yīng)直流磁控濺射方法，具體步驟如下：以按鎢與銦的質(zhì)量比制成的金屬銦鑲嵌靶為靶材，玻璃為基板，在室溫條件下，通入氧氣和氬氣使反應(yīng)室工作壓強(qiáng)為0.8～1Pa，控制氧氣分壓為工作壓強(qiáng)的2.0～20.0％，直流磁控濺射電流為50～200mA，濺射電壓為300～430V，濺射時(shí)間為30～120分鐘，形成具有非晶結(jié)構(gòu)的n型導(dǎo)電In₂O₃:W透明薄膜。