[發明專利]彩膜基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200810038305.6
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN101329465A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 田廣彥
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1333;G03F7/00
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術領域

本發明涉及一種彩膜基板的制造方法，特別是涉及一種用于液晶顯示裝置的彩膜基板的制造方法。

背景技術

液晶顯示器(LCD)是目前被廣泛使用的一種平面顯示器，跟其他顯示方式相比，具有低功耗、外型薄、重量輕、無輻射等優點。一般而言，LCD包括有陣列下基板、彩膜(CF)上基板及填充在上下基板之間的液晶層；彩膜上基板包括黑矩陣(Black?Matrix，BM)、R/G/B色素層和作為共通電極的透明導電薄膜；彩膜上基板上的共通電極與陣列下基板上的像素電極之間的電場強度調制著液晶分子的偏轉方向。

一種彩膜上基板的制造流程示意圖如圖1、圖2和圖3所示：首先在基板10常為玻璃基板)上沉積一層金屬層111(如鉻、鋁)，利用光刻法形成黑矩陣11圖案，請參照圖1；為了避免金屬材料對光的反射，通常在在金屬層111上需進行防反射處理(如氧化處理)，形成氧化層112；利用光刻法在黑矩陣12上依次形成R、G、B色素層121、122、123圖案，請參照圖2，為了避免色素層混合，不同的色素層之間會保持一定的間隙(如10μm)；最后在整個基板10上沉積一層透明導電薄膜13(如氧化銦錫)作為共通電極，請參照圖3。彩膜上基板上的共通電極在液晶顯示器的顯示區域外和陣列下基板電學連接，電學信號通過連接處施加在彩膜上基板的共通電極。

在液晶顯示器的制造中，如果彩膜上基板的共通電極的信號延遲過大會產生顯示不均等問題，影響液晶顯示器的顯示效果。為了降低彩膜上基板的共通電極的信號延遲，通常的作法是增加彩膜上基板上透明導電薄膜的厚度，這又會引起成膜時間的增加和透過率的下降。尤其對于彩膜上基板上共通電極有開口的多疇垂直取向型TFT-LCD，共通電極的連通性會變差，信號延遲會更嚴重一些。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種彩膜基板的制造方法，該方法得到的彩膜基板在不增加透明導電膜厚度的前提下可降低彩膜基板上共通電極的信號延遲。

為解決上述問題，本發明還供了一種彩膜基板的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板；

在該基板上沉積含有導電材料的擋光層，經過防反射處理后，通過光刻法形成黑矩陣；

利用光刻法在黑矩陣上依次形成色素層圖案，利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣，露出黑矩陣中的導電材料；

在黑矩陣和色素層上方沉積覆蓋整個基板的透明導電薄膜，該層透明導電薄膜和黑矩陣中露出的導電材料電學連接。

上述彩膜基板的制造方法，其中所述導電材料為鉻金屬，所述防反射處理步驟為鉻金屬的氧化處理。

上述彩膜基板的制造方法，其中所述導電材料為鋁金屬、所述防反射處理步驟為在鋁金屬層上覆蓋一層有機光阻層。

上述彩膜基板的制造方法，其中所述利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣時，利用色素層圖案作為掩模版進行刻蝕，露出黑矩陣中的導電材料。

上述彩膜基板的制造方法，其中所述色素層為R、G、B色素層。

本發明的彩膜基板的制造方法，由于彩膜基板上的共通電極和BM中的導電材料進行電學連接，形成了并聯關系，降低了共通電極上的互聯電阻R，而在共通電極上的信號延遲的時間系數τ正比于共通電極上的總電容C和總電阻R的乘積，即：

τ∝R*C

根據本發明的共通電極和其他金屬層之間的電容C保持不變，因此電阻R的減小能夠減小共通電極上信號延遲的時間系數τ，也就是能夠降低共通電極上的信號延遲。

附圖說明

圖1為現有技術中形成有黑矩陣的彩膜基板的結構示意圖，其中圖1b為沿圖1a中剖面線A-A’的截面示意圖。

圖1b為現有技術中形成R、G、B后的彩膜基板的結構示意圖，其中圖2b為沿圖2a中剖面線A-A’的截面示意圖；。

圖1c為現有技術中形成透明導電膜后的彩膜基板的結構示意圖，其中圖3b為沿圖3a中剖面線A-A’的截面示意圖。

圖4～圖8為本發明的彩膜基板的制造工藝流程中的彩膜基板的截面結構示意圖。

圖中：

10、基板??11、黑矩陣??111：金屬層

112：氧化層或有機光阻層

12、色素層??121、R色素層??122、G色素層??123、B色素層

13、透明導電(薄)膜

具體實施方式

下面結合附圖及典型實施例對本發明作進一步說明。

圖4～圖8為本發明的彩膜基板的制造工藝流程中的彩膜基板的截面結構示意圖。