[發明專利]在半導體硅基底上催化生長ZnO納米線的方法

無效

• 申請號: 200810037821.7
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN101286453A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 賀英;高利聰;周利寅;諶小斑;張文飛
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368;H01L31/18;B82B3/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所
• 代理人: 顧勇華

1.一種在半導體硅基底上催化生長ZnO納米線的方法，其特征在于具有以下的工藝過程和步驟：

a、半導體硅基底單晶硅片的準備：按傳統常規的方法將作為半導體硅基底的單晶硅片進行酸洗、水洗、磨光，洗滌干凈干燥后待用；

b、硅基底的化學鍍鎳預處理：將摩爾比為1∶1的化學鍍鎳鹽和絡合劑混合配成絡合穩定的鍍液，并調節pH值在9.0～11.0范圍內；所述的化學鍍鎳鹽為硫酸鎳、硝酸鎳、氯化鎳中的任一種；所述的絡合劑為檸檬酸鈉；在反應容器內將混合溶液進行加熱，加熱溫度選60～90℃，恒溫保持30～50分鐘；并在不斷攪拌條件下以5.0mL/min的速率滴加濃度為0.4～0.8mol/L的還原劑亞磷酸氫鈉，其加入量為化學鍍鎳鹽的4倍，即兩者的摩爾質量比為4∶1；然后迅速放入事先準備好的單晶硅片；在反應過程中緩慢滴加入加速劑乙酸鈉溶液，并適時補充OH^-，以提高鍍速；然后取出己鍍覆的硅片，經浸洗后室溫放置；

c、ZnO納米線的生長：將一定濃度的可溶性鋅鹽與高分子聚丙烯酰胺亞濃水溶液混合，調節該混合液的pH值至11.0～12.0；然后將經化學鍍鎳預處理的硅基底單晶硅片投入該混合液中，在常壓加熱條件下使其反應，加熱溫度范圍為60～100℃，常壓下反應時間為2～6小時；取出硅片，在150℃溫度下熱處理0.5～2.0小時，然后室溫固化；最終得到生長有白色ZnO納米線薄膜的硅片。