[發明專利]去除氮化硅薄膜的干法蝕刻方法有效
| 申請號： | 200810037676.2 | 申請日： | 2008-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN101587836A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 黃敬勇;鐘鑫生;朱海波;方文強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 氮化 薄膜 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除氮化硅薄膜的干法蝕刻方法，所述干法蝕刻方法在制程腔室內進行，其中制程腔室內位于等離子區兩側的上基板和下基板的電勢差小于300伏，其特征在于，蝕刻氮化硅薄膜的過程中，蝕刻掉部分所述氮化硅薄膜下面的氧化層薄膜，但要保留30埃厚度的所述氧化層薄膜不被蝕刻掉。
2.如權利要求1所述的去除氮化硅薄膜的干法蝕刻方法，其特征在于，所述干法蝕刻方法使用的蝕刻氣體與氮化硅薄膜發生化學反應。
3.如權利要求1所述的去除氮化硅薄膜的干法蝕刻方法，其特征在于，所述干法蝕刻方法去除的氮化硅薄膜在晶圓的閃存區域用于存儲電荷。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
