[發明專利]陣列基板及其制造方法無效
| 申請號: | 200810037509.8 | 申請日: | 2008-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN101582430A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發明(設計)人: | 李小和 | 申請(專利權)人: | 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 薛 琦;朱水平 |
| 地址: | 201108上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種陣列基板,特別是涉及一種提升對比度的陣列基板及其制造方法。
背景技術
液晶顯示裝置(LCD)是一種被動的顯示裝置,它不能發光,只能使用周圍環境的光,它顯示圖案或字符只需很小能量。正因為低功耗和小型化使LCD成為較佳的顯示方式。液晶顯示所用的液晶材料是一種兼有液態和固體雙重性質的有機物,它的棒狀結構在液晶盒內排列,但在電場作用下能改變其排列方向。
如圖1所示,液晶顯示面板包括第一玻璃基板100(又稱薄膜晶體管陣列基板的玻璃基板)和第二玻璃基板2000(又稱色層基板的玻璃基板),一液晶層夾于第一玻璃基板100和第二玻璃基板2000之間,第一玻璃基板100和第二玻璃基板2000通過框膠貼合。框膠用于固定第一玻璃基板100和第二玻璃基板2000,并且將液晶和外界隔離。第一玻璃基板100上通過柵極掃描線線、第二金屬信號線、源極以及有源層構成控制像素工作的晶體管開關。柵極掃描線為第一金屬層圖形,信號線和源極為第二金屬層圖形。第二玻璃基板2000上通過色層顯示不同的顏色,通過黑色矩陣2001阻擋不被利用的光。
在面板的制造工藝通常可以通過五次光罩完成,步驟如下:
第一步,在玻璃基板上濺射第一金屬層,通過第一次光罩形成第一金屬層圖形,隨后在第一金屬成圖形上淀積第一絕緣層;
第二步,在第一絕緣層上淀積非晶層,氮離子(n+)非晶層,通過第二次光罩形成非晶以及n+非晶層圖形;
第三步,在非晶層以及n+非晶層圖形上濺射第二金屬層,通過第三次光罩形成第二金屬層圖形;
第四步,在第二金屬層圖形上淀積第二絕緣層,通過第四次光罩形成接觸孔;
第五步,在第二絕緣層上濺射氧化物導電層,通過第五次曝光形成氧化物導導電層圖形;
由于工藝通過五次光罩制造完成,工藝生產時間長,成本高,產量低。由此可以通過四次光罩制造節省成本,提高產量。
如圖2所示,第一玻璃基板100上包括第一金屬層圖形——第一柵極掃描線201和第二柵極掃描線202,第一非晶層401,第二金屬層圖形——第一數據線601,第一接觸孔701和第二接觸孔702,第一氧化物導電層901和第二氧化物導電層902;
四次光罩制造步驟如下:
第一步,在玻璃基板上濺射第一金屬層,通過第一次光罩形成第一金屬層圖形,隨后在第一金屬成圖形上淀積第一絕緣層;
第二步,在第一絕緣層上淀積非晶層以及n+非晶層,接著濺射第二金屬層,通過第二次光罩,形成完全曝光,完全未曝光,半曝光的光刻膠,首先刻蝕形成數據線及晶體管島;其次灰化剩余光刻膠,暴露出半曝光光刻膠下的第二金屬層,并殘留部分光刻膠在完全未曝光的圖形上,刻蝕形成源極,漏極以及溝道,從而形成晶體管結構;
第三步,在第二金屬層圖形上淀積第二絕緣層,通過第三次光罩形成接觸孔;
第四步,在第二絕緣層上濺射氧化物導電層,通過第四次曝光形成氧化物導電層圖形;
四次光罩和五次光罩工藝技術中,存儲電容如圖3一般由第二柵極掃描線202作為第一電極,第二氧化物導電層圖形902作為第二電極,以第一絕緣層300和第二絕緣層800作為介質形成。
四次光罩和五次光罩工藝技術中,存儲電容一般由公共電極作為第一電極,氧化物導電層形作為第二電極,以第一絕緣層和第二絕緣層作為介質形成。但為了保證足夠的存儲電容大小通常需要足夠大的公共電極面積,從而限制了開口率的提升。
為了提高開口率從而提出了新的存儲電容結構,由于工藝通過五次光罩技術完成,工藝生產時間長,成本高,產量低。由此可以通過四次光罩技術節省成本,提高產量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





