[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810037509.8
• 申請日: 2008-05-16
• 公開（公告）號: CN101582430A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李小和
• 申請（專利權(quán)）人: 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 薛 琦;朱水平

1、一種陣列基板，其包括一玻璃基板以及依次位于該玻璃基板上的第一金屬層圖形、第一絕緣層、非晶層圖形、氮離子非晶層、第二金屬層圖形、第二絕緣層和氧化物導(dǎo)電層圖形，該第一金屬層圖形作為一存儲電容的第一電極，其特征在于，該非晶層圖形通過一接觸孔連接該氧化物導(dǎo)電層圖形作為存儲電容的第二電極。

2、如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層圖形所用材料為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr中的一種或者任意二種組合所構(gòu)成的復(fù)合。

3、如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一、第二絕緣層所用材料為二氧化硅和氮化硅中的一種或二種組合所構(gòu)成的復(fù)合。

4、一種制造如權(quán)利要求1所述的陣列基板的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟1：在一玻璃基板上濺射第一金屬層，通過第一次光罩形成第一金屬層圖形；

步驟2：接著淀積第一絕緣層；

步驟3：然后淀積非晶層和氮離子非晶層，濺射第二金屬層，涂覆光刻膠；

步驟4：通過第二次光罩使光刻膠分為完全曝光、半曝光和完全未曝光三部分，再通過顯影和刻蝕工藝形成非晶層圖形、第二金屬層圖形和晶體管島的形狀；

步驟5：接著灰化剩余光刻膠，刻蝕晶體管島形成溝道；

步驟6：淀積第二絕緣層，通過第三次光罩形成第一接觸孔和第二接觸孔，接著濺射氧化物導(dǎo)電層，通過第四次光罩形成氧化物導(dǎo)電層圖形。

5、如權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半曝光部分采用灰色調(diào)掩膜或半色調(diào)掩膜。

6、一種制造如權(quán)利要求1所述的陣列基板的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟1：在一玻璃基板上淀積第一金屬層，通過第一次光罩形成第一金屬層圖形；

步驟2：接著淀積第一絕緣層；

步驟3：然后淀積非晶層和氮離子非晶層，使用第二次光罩形成非晶層圖形；

步驟4：濺射第二金屬層，使用第三次光罩形成第二金屬層圖形；

步驟5：淀積第二絕緣層，使用第四次光罩形成一第一接觸孔和第二接觸孔；

步驟6：濺射氧化物導(dǎo)電層，使用第五次光罩形成氧化物導(dǎo)電層圖形。