[發(fā)明專利]45°稀土鋇銅氧薄膜籽晶高速生長超導塊材的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810037417.X | 申請日： | 2008-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101319379A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 姚忻;孫立杰;許雪芹 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B19/00;H01B12/06;C04B35/01 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 | 代理人： | 毛翠瑩 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 45 稀土 鋇銅氧 薄膜 籽晶 高速 生長 超導 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種45°稀土鋇銅氧薄膜籽晶高速生長超導塊材的方法，其特征在于包括如下步驟：
1)按照REBCO+(20～35)mol％RE211組分配料；
2)研磨，在900℃±5℃下煅燒48小時；該研磨、煅燒過程共重復3遍；
3)將煅燒后研磨好的粉末壓制成前驅(qū)體片，頂部放上面內(nèi)取向為45°四對稱結(jié)構(gòu)的REBCO同質(zhì)薄膜作籽晶；
4)將前驅(qū)體片放在MgO單晶襯底上，整個體系放入密封系統(tǒng)中；
5)2小時升溫至REBCO的包晶熔化溫度以下20-50℃，保溫1小時；繼續(xù)加熱，2小時升溫至包晶溫度以上30±5℃，保溫1.5小時；
6)在15分鐘內(nèi)將溫度降低至包晶熔化溫度，然后以每小時0.5℃的速率降溫20-40小時，最后淬火制得稀土鋇銅氧高溫超導塊體材料。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的稀土鋇銅氧高溫超導塊體材料的制備方法，其特征在于所述的面內(nèi)取向為45°四對稱結(jié)構(gòu)的REBCO同質(zhì)薄膜是沉積在單晶氧化鎂基板上的REBCO薄膜。
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