[發明專利]具有輕摻雜漏極的晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 200810036655.9
• 申請日: 2008-04-25
• 公開（公告）號: CN101567317A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 翟 羽

1.一種具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面具有柵堆疊結構；

在半導體襯底表面制作注入阻擋層，界定預形成輕摻雜漏極區域的位置；

將第一摻雜離子注入半導體襯底中，形成輕摻雜漏極區域；

在柵堆疊結構側面制作側墻；

將第二摻雜離子注入半導體襯底中的輕摻雜漏極區域；

對半導體襯底進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜離子的注入能量大于第二摻雜離子的注入能量。

3.根據權利要求1所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜離子的注入劑量大于第一摻雜離子的注入劑量。

4.根據權利要求1所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型單晶硅襯底。

5.根據權利要求4所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜離子為砷離子。

6.根據權利要求5所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述砷離子的注入能量為0.5keV至5.0keV，注入劑量為1×10¹⁴cm^-2～1×10¹⁵cm^-2。

7.根據權利要求5所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜離子為砷離子。

8.根據權利要求7所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述砷離子的注入能量為1keV至10keV，注入劑量為6×10¹²cm^-2～2×10¹⁴cm^-2。

9.根據權利要求4所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜離子為磷離子。

10.根據權利要求9所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述磷離子的注入能量為1keV至8keV，注入劑量為6×10¹²cm^-2～1×10¹⁴cm^-2。

11.根據權利要求1所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為N型單晶硅襯底。

12.根據權利要求11所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜離子為銦離子。

13.根據權利要求12所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述銦離子的注入能量為20keV至80keV，注入劑量為5×10¹⁴cm^-2～1×10¹⁵cm^-2。

14.根據權利要求12所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜離子為氟化硼離子。

15.根據權利要求14所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述氟化硼離子的注入能量為2keV至15keV，注入劑量為1×10¹³cm^-2～1×10¹⁵cm^-2。

16.根據權利要求12所述的具有輕摻雜漏極區域的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜離子為硼離子。

17.根據權利要求16所述的具有輕摻雜漏極的晶體管的制造方法，其特征在于，所述硼離子的注入能量為0.3keV至3keV，注入劑量為6×10¹²cm^-2～1×10¹⁴cm^-2。

18.根據權利要求11所述的具有輕摻雜漏極的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜離子為氟化硼離子。