[發明專利]陣列基板的斷線修復方法

無效

• 申請號: 200810036218.7
• 申請日: 2008-04-18
• 公開（公告）號: CN101561565A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 馬群剛
• 申請（專利權）人: 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 薛 琦;朱水平

技術領域

本發明涉及一種陣列基板，特別是涉及一種陣列基板的斷線修復方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)是以其輕薄、節能、環保等特點逐漸成為當前各類顯示器件發展的主流。

TFT-LCD的陣列基板一側密布著許多數據線和柵極掃描線，每一條數據線或者柵極掃描線的斷線都會使得TFT-LCD面板出現線缺陷，從而影響產品的合格率。一般，柵極掃描線比數據線要粗，并且柵極掃描線的根數也比數據線的根數要少。所以，雖然到目前為止提出了許多修復線的設計方法，但主要都是用來進行數據線在斷線后的修復。如美國專利US6111621，US6014191，US5969779、US5303074、中國專利CN1959961A都提供了數據線斷線的修復方法。總體而言，數據線的修復最多的方法就是采用專用的修復線和驅動電路，或者進行激光化學氣向墊積(Laser?CVD)法成膜進行斷線兩側的連接。這么多修復方法，大多需要用激光進行打點。

但是，上述修復方法中存在以下問題：

1、通過激光化學氣向墊積(Laser?CVD)法進行斷線修復的話，需要增加工程時間，影響產能。同時，Laser?CVD的投資也比較大。

2、如果用專門的修復線在放大驅動電路作用進行修復的話能夠修復的斷線數目有限。并且，用于修復斷線的修復結構中需要在陣列基板的外側設計驅動放大電路，增加的設計開發的成本。如果在同一條數據線上出現兩個斷線就不能進行修復。

發明內容

本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術中修復時間長、投資比較大、修復能力有限的缺陷，提供一種陣列基板的斷線修復方法，該修復方法能百分之百地對斷線進行修復，降低了設計開發的成本。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：一種陣列基板的斷線修復方法，該陣列基板包括多條數據線、柵極掃描線、公共電極線和多個像素電極、薄膜晶體管，由一條柵極掃描線、一條公共電極線和兩條數據線圍成的一顯示單元，每一顯示單元包括一像素電極和一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一漏極、一源極與一柵極，源極與柵極分別和數據線、柵極掃描線連接，漏極通過一接觸孔和像素電極連接，當顯示單元的一數據線發生斷線時，對該數據線的修復方法包括以下步驟：

步驟1、進行第一次切斷操作切斷發生斷線的數據線外側的公共電極線；

步驟2、進行第二次切斷操作切斷發生斷線的數據線對面的數據線內側的公共電極線；

步驟3、進行第三次切斷操作在與柵極掃描線相連的地方切斷薄膜晶體管的柵極；

步驟4、進行第一次打點處理使發生斷線的數據線和被切斷的公共電極線實現電連接，數據線的上端電位傳輸到被切斷的公共電極線上；

步驟5、進行第二次打點處理使被切斷的公共電極線和像素電極實現電連接；

步驟6、進行第三次打點處理使像素電極上的電位通過接觸孔和第三次打點處理把電位傳輸到被切斷的柵極上；

步驟7、進行第四次打點處理使像素電極上的電位通過接觸孔、第三次打點處理和第四次打點處理把電位傳輸到數據線的下端。

其中，該第一次打點處理是在發生斷線的數據線和被切斷的公共電極線相交叉的地方打點。

其中，該第二次打點處理是在像素電極和被切斷的公共電極線相重疊的地方打點。

其中，該第三次打點處理是在薄膜晶體管的漏極和被切斷的柵極相交重疊的地方進行打點。

其中，該第四次打點處理是在薄膜晶體管的源極和被切斷的柵極相交重疊的地方進行打點。

其中，該第一、第二、第三次切斷操作采用激光切斷。

其中，該第一、第二、第三、第四次打點處理采用激光打點處理。

本發明的積極進步效果在于：

1、利用本發明提供的修復線設計方案，可以進行百分之百斷線的修復，不存在只能修復幾根斷線的限制。

2、采用本發明提供的修復線設計方案，就算在同一根柵極掃描線上出現多個斷線都能進行一一修復，不存在同一根掃描線上出現兩個斷線就無法修復的限制。

3、采用本發明提供的修復線設計方案，不需要在陣列基板的外側設計驅動放大電路，降低了設計開發的成本。

附圖說明

圖1為本發明陣列基板中發生斷線后修復的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖給出本發明較佳實施例，以詳細說明本發明的技術方案。