[發(fā)明專利]陣列基板的斷線修復(fù)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810036218.7
• 申請(qǐng)日: 2008-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101561565A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬群剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/13
• 分類號(hào): G02F1/13
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 薛 琦;朱水平

1、一種陣列基板的斷線修復(fù)方法，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、柵極掃描線、公共電極線和多個(gè)像素電極、薄膜晶體管，由一條柵極掃描線、一條公共電極線和兩條數(shù)據(jù)線圍成的一顯示單元，每一顯示單元包括一像素電極和一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一漏極、一源極與一柵極，源極與柵極分別和數(shù)據(jù)線、柵極掃描線連接，漏極通過(guò)一接觸孔和像素電極連接，其特征在于，當(dāng)顯示單元的一數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時(shí)，對(duì)該數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法包括以下步驟：

步驟1、進(jìn)行第一次切斷操作切斷發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線外側(cè)的公共電極線；

步驟2、進(jìn)行第二次切斷操作切斷發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線對(duì)面的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的公共電極線；

步驟3、進(jìn)行第三次切斷操作在與柵極掃描線相連的地方切斷薄膜晶體管的柵極；

步驟4、進(jìn)行第一次打點(diǎn)處理使發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線和被切斷的公共電極線實(shí)現(xiàn)電連接，數(shù)據(jù)線的上端電位傳輸?shù)奖磺袛嗟墓搽姌O線上；

步驟5、進(jìn)行第二次打點(diǎn)處理使被切斷的公共電極線和像素電極實(shí)現(xiàn)電連接；

步驟6、進(jìn)行第三次打點(diǎn)處理使像素電極上的電位通過(guò)接觸孔和第三次打點(diǎn)處理把電位傳輸?shù)奖磺袛嗟臇艠O上；

步驟7、進(jìn)行第四次打點(diǎn)處理使像素電極上的電位通過(guò)接觸孔、第三次打點(diǎn)處理和第四次打點(diǎn)處理把電位傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線的下端。

2、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第一次打點(diǎn)處理是在發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線和被切斷的公共電極線相交叉的地方打點(diǎn)。

3、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第二次打點(diǎn)處理是在像素電極和被切斷的公共電極線相重疊的地方打點(diǎn)。

4、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第三次打點(diǎn)處理是在薄膜晶體管的漏極和被切斷的柵極相交重疊的地方進(jìn)行打點(diǎn)。

5、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第四次打點(diǎn)處理是在薄膜晶體管的源極和被切斷的柵極相交重疊的地方進(jìn)行打點(diǎn)。

6、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第一、第二、第三次切斷操作采用激光切斷。

7、如權(quán)利要求1所述的陣列基板的斷線修復(fù)方法，其特征在于，該第一、第二、第三、第四次打點(diǎn)處理采用激光打點(diǎn)處理。