[發明專利]一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法

有效

• 申請號: 200810035902.3
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN101556898A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 萬世偉;王軍;張福全
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術領域

本發明涉及一種芯片制造工藝中的晶圓檢測方法，且特別涉及一種擋片回收的檢測方法。?

背景技術

芯片制造工藝中在晶圓棒的中間段切割出來的晶圓品質較高，稱為生產晶圓，用于半導體芯片制造。在晶圓棒的頭尾兩端所切割出的晶圓，出現瑕疵的幾率較高，大多用作非生產用途，稱為測試晶圓如控片(Control?Wafer)以及擋片(Dummy?Wafer)。?

半導體晶圓廠內設備進行生產前，均需以測試晶圓來量測爐管溫度，金屬層，化學品濃度，沉積厚度，半導體裝置的制造工序有大約超過100道程序，因此需要大量的測試晶圓，然而測試晶圓十分昂貴所以需要盡可能的多次反復使用。?

例如為了解機臺未來制成的晶圓產品是否在合格的范圍之內，需要使用控片去試作，并量測所得結果如厚度，平坦度，微粒數等等，控片使用一次就要進入回收流程，通常當控片多次使用后將不能再次當作控片使用，此時可將其回收當作擋片再次使用，擋片的用途主要有兩種，一種是用來暖機，即機臺在長期閑置后，機臺內條件不好，這時先跑一些擋片，等機臺正常后才跑產品晶圓；另一種是用來補足機臺內應擺芯片而未擺的空位置，如將晶圓送至爐管進行氧化制程時，若生產晶圓數量不足時需要以擋片補足，否則可能影響制程平坦度等，或者是當一批晶圓進入爐管的時候，因為晶舟兩頭的氣流以及雜物的濃度會比中間大而且溫度由于受輻射影響也會比中間大，這就嚴重影響了一致性，所以要在兩邊加擋片來抵消這種效應。擋片也可重復使用，把表面的薄膜洗掉之后也是可以再利用的，但是經過多次使用后的擋片很有可能會報廢，如晶圓背面的劃傷等，特別是在蝕刻和薄膜區域。原因主要是這兩個區的機臺卡盤不能吸住背面狀況比較糟糕的晶圓。因此需要對使用過的擋片進行檢測，以決定?該使用過的擋片是否可以再次使用。現有技術中檢測擋片是否可以再次使用的方法通常為人工量測擋片的厚度并且查看擋片背面的污染度和光滑度，例如有無劃傷以及面積較大的缺陷，若背面情況不合格則直接將擋片丟棄報廢，但這種方法過于主觀使得大量原本可再次回收利用的擋片被認定報廢而丟棄造成浪費，同時現有技術中并無將使用過的擋片翻轉再次回收利用的情況。?

發明內容

本發明的目的在于提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，用以翻轉使用過的擋片并檢測其正面，通過獲得的測試數據來判斷上述使用過的擋片是否可以再次回收利用。?

根據上述目的，本發明提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括：獲取使用后的擋片，將上述擋片翻轉，檢測上述擋片的正面，獲得相關檢測數據，根據上述檢測數據判斷上述擋片是否可以回收利用。?

進一步的，其中上述判斷步驟為將上述檢測數據與底限數據進行比較，然后根據比較結果判斷上述擋片是否可以回收利用。?

進一步的，其中上述檢測步驟包括檢測上述擋片的厚度。?

進一步的，其中上述檢測步驟更包括檢測上述擋片正面的翹曲度。?

進一步的，其中上述擋片為回收后的控片，上述回收后的控片為微粒值不合格的控片。?

進一步的，其中上述擋片回收的檢測方法更包括對利用上述擋片制造的產品進行缺陷檢查，獲得缺陷數據并根據上述缺陷數據判斷上述擋片是否可以回收利用。?

本發明的擋片回收的檢測方法，自動將使用過的擋片翻轉并自動檢測上述擋片的厚度以及正面的翹曲度，通過檢測獲得的數據判斷上述擋片是否可以再次回收利用，避免了因為使用過的擋片背面情況不合格而直接丟棄報廢，而是將使用過的擋片翻轉并檢測其正面情況以再次回收利用，從而節約了大量擋片，滿足了芯片制造程序需要大量擋片的要求，提高了擋片使用率，同時大大降低了生產成本。?

附圖說明

圖1所示為本發明一較佳實施例的流程圖；?

圖2所示為本發明又一較佳實施例的流程圖。?

具體實施方式

為了更了解本發明的技術內容，特舉較佳具體實施例并配合所附圖式說明如下。?

請參考圖1，圖1所示為本發明一較佳實施例的流程圖。本發明提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括：步驟10：獲取使用后的擋片，步驟20：將上述擋片翻轉，步驟30：檢測上述擋片的正面，獲得相關檢測數據，步驟40：根據上述檢測數據判斷上述擋片是否可以回收利用。?