[發(fā)明專利]一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810035902.3 | 申請日： | 2008-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN101556898A | 公開（公告）日： | 2009-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萬世偉;王軍;張福全 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 制造 工藝 中的 回收 檢測 方法 | ||
1.一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測方法 包括：
獲取使用后的擋片；
將上述擋片翻轉(zhuǎn)；
檢測上述擋片的正面，獲得擋片的厚度、正面的翹曲度或缺陷數(shù)據(jù)；
根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用；
其中，擋片的正面是指沒有經(jīng)機械手傳送摩擦的擋片的一面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述判斷步驟 為將上述檢測數(shù)據(jù)與底限數(shù)據(jù)進行比較，然后根據(jù)比較結(jié)果判斷上述擋片是否 可以回收利用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測步驟 包括檢測上述擋片的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測步驟 更包括檢測上述擋片正面的翹曲度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述擋片為回 收后的控片，上述回收后的控片為微粒值不合格的控片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述擋片回收 的檢測方法更包括對利用上述擋片制造的產(chǎn)品進行缺陷檢查，獲得缺陷數(shù)據(jù)并 根據(jù)上述缺陷數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
