[發明專利]一種熱載流子注入測試MOS器件的方法有效
| 申請號： | 200810035113.X | 申請日： | 2008-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN101271143A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發明（設計）人： | 唐逸 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市張江高科*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 載流子 注入 測試 mos 器件 方法 | ||
1、一種熱載流子注入測試MOS器件的方法，所述MOS器件熱載流子的注入基于JEDEC標準，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟1：根據JEDEC標準，對器件進行熱載流子注入實驗，記錄不同電壓加載時間下所測試的MOS器件電學參數數據值，計算所測試出的電學參數衰退幅度值；
步驟2：將不同時間點下計算出的MOS器件電學參數衰退幅度數據利用以下公式進行擬合；
其中，t為測試時間值，y代表擬合得出的所測試的MOS器件電學參數衰退幅度數據，n、A、B、C、D和E為6個待定常數；
步驟3：根據步驟2的擬合結果，確定步驟2中公式中指數n和常數A、B、C、D、E值，此時得出的公式即為熱載流子注入MOS器件后所測試的電學參數退化規律的計算公式；
步驟4：依據步驟3得出的電學參數退化規律的計算公式來推算所測試的MOS器件的電學參數的可靠性是否合格。
2、如權利要求1所述的熱載流子注入測試MOS器件的方法，其特征在于，所述步驟1中所測試MOS器件電學參數衰退幅度通過以下公式進行計算：
M＝(M-M0)/M0
其中，M為不同時間下所記錄的電學參數值，M0為測試時間為零秒時對應的電學參數值。
3、如權利要求1所述的熱載流子注入測試MOS器件的方法，其特征在于，所述測試的MOS器件電學參數包括：線性區漏端電流、飽和區漏端電流和線性區最大跨導。
4、如權利要求1所述的熱載流子注入測試MOS器件的方法，其特征在于，所述步驟3中得出的所測試的電學參數退化規律的計算公式與測試數據之間的擬合精度采用相關系數描述。
5、如權利要求1所述的熱載流子注入測試MOS器件的方法，其特征在于，所述步驟4中推算MOS器件的電學參數的可靠性是否合格是通過給定步驟3中得出的公式的測試時間，計算所述給定測試時間下所測試電學參數y的值是否超過預設電學參數的衰退幅度。
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