[發(fā)明專利]一種光刻膠去除方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810035092.1
• 申請日: 2008-03-25
• 公開（公告）號: CN101546136A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王立;王鵬;劉昕
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;G03F7/36
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻膠去除方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件的最小特征尺寸的不斷減小，光刻工藝中涂布在晶圓表面的光刻膠的厚度也在不斷減小。本來厚度就很薄的光刻膠在刻蝕工藝中還會消耗掉一定厚度，故導(dǎo)致完成刻蝕工藝后晶圓上的光刻膠的厚度非常薄甚至小于500埃。現(xiàn)通常在灰化設(shè)備的反應(yīng)腔中去除光刻膠，去除光刻膠時首先調(diào)控反應(yīng)腔的溫度以確保晶圓上的溫度為200至300攝氏度，然后再調(diào)控反應(yīng)腔的壓力且將其調(diào)整到93至173帕斯卡間，之后再向反應(yīng)腔中通入配比大于10：1的氧氣和稀釋氣體(可為氮氣(N₂)或聯(lián)胺(N₂H₂))且開啟微波發(fā)生器，氧氣在微波的作用下形成氧等離子體，氧等離子體即與光刻膠發(fā)生反應(yīng)，從而將晶圓上的光刻膠去除。

但是，上述光刻膠去除方法的光刻膠去除速率太快(可達到20000埃/分)，如此高的光刻膠去除速率無法滿足晶圓上的越來越薄的光刻膠的去除要求，其會致使光刻膠的去除變得難以控制，并經(jīng)常發(fā)生因光刻膠去除過度而在晶圓上造成損傷或缺陷的事情。

因此，如何提供一種光刻膠去除方法以提供較低的光刻膠去除速率，從而使光刻膠的去除變得易于控制，并可避免因光刻膠去除過度而在晶圓上產(chǎn)生損傷或缺陷的事情發(fā)生，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠去除方法，通過所述去除方法可降低光刻膠的去除速率，從而使光刻膠的去除變得易于控制，并可避免因光刻膠去除過度而在晶圓上產(chǎn)生損傷或缺陷的事情發(fā)生。

本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的：一種光刻膠去除方法，其在一灰化設(shè)備的反應(yīng)腔中進行，該反應(yīng)腔中設(shè)置有一微波發(fā)生器，該方法包括以下步驟：a、將欲去除光刻膠的晶圓設(shè)置在反應(yīng)腔中，該晶圓上具有預(yù)設(shè)厚度的光刻膠；b、調(diào)控反應(yīng)腔的溫度以使晶圓上的溫度穩(wěn)定在一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)；c、調(diào)控反應(yīng)腔的壓力且使其穩(wěn)定在一預(yù)設(shè)壓力范圍內(nèi)；d、向反應(yīng)腔中通入氧氣和稀釋氣體且開啟微波發(fā)生器，并持續(xù)一預(yù)設(shè)時段；其中，該預(yù)設(shè)溫度范圍為70至150攝氏度，在步驟d中，氧氣與稀釋氣體的配比范圍為0.1至10。

在上述的光刻膠去除方法中，在步驟a中，該預(yù)設(shè)厚度小于500埃。

在上述的光刻膠去除方法中，在步驟b中，該稀釋氣體為氮氣或聯(lián)胺。

在上述的光刻膠去除方法中，在步驟c中，該預(yù)設(shè)壓力范圍為93至173帕斯卡。

在上述的光刻膠去除方法中，在步驟d中，該預(yù)設(shè)時段為10秒至30秒。

與現(xiàn)有技術(shù)中去除光刻膠時晶圓的溫度為200至300攝氏度，氧氣與稀釋氣體的配比大于10相比，本發(fā)明的光刻膠去除方法中將晶圓上的溫度調(diào)整為70至150攝氏度，且將氧氣與稀釋氣體的配比調(diào)整至0.1至10的范圍內(nèi)，從而大大降低了光刻膠的去除速率，且使光刻膠的去除變得易于控制，并可避免因光刻膠去除過度而在晶圓上產(chǎn)生損傷或缺陷的事情發(fā)生。

附圖說明

本發(fā)明的光刻膠去除方法由以下的實施例及附圖給出。

圖1為灰化設(shè)備的組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的光刻膠去除方法的流程圖。

具體實施方式

以下將對本發(fā)明的光刻膠去除方法作進一步的詳細描述。

本發(fā)明的光刻膠去除方法在一灰化設(shè)備的反應(yīng)腔中進行，參見圖1，其顯示了灰化設(shè)備的組成結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述灰化設(shè)備具有反應(yīng)腔1，反應(yīng)腔1中設(shè)置有承片臺10、微波發(fā)生器11、加熱模塊12和多個支腳13，反應(yīng)腔1上設(shè)置有進氣管14和排氣管15。所述加熱模塊12設(shè)置在承片臺10下且用于加熱設(shè)置在承片臺上的晶圓，所述多個支腳13具有升起和降下兩種狀態(tài)，當(dāng)支腳13處于升起狀態(tài)時，其將晶圓支離承片臺10，當(dāng)支腳13處于降下狀態(tài)時，晶圓直接設(shè)置在承片臺10上。氧氣和稀釋氣體等反應(yīng)氣體經(jīng)由進氣管道14進入反應(yīng)腔1，反應(yīng)腔1中反應(yīng)后的廢氣通過排氣管15排出。

參見圖2，結(jié)合參見圖1，本發(fā)明的光刻膠去除方法首先進行步驟S20，將欲去除光刻膠的晶圓設(shè)置在反應(yīng)腔中，即將晶圓設(shè)置如圖1所示的承片臺10上且將涂布有光刻膠的一面朝上，所述晶圓上具有預(yù)設(shè)厚度的光刻膠，所述預(yù)設(shè)厚度小于500埃。在本發(fā)明的第一、第二和第三實施例中，所述晶圓上的光刻膠厚度分別為300、400和500埃。