[發明專利]一種液晶顯示裝置的制造方法及其TFT完成基板有效
| 申請號: | 200810034961.9 | 申請日: | 2008-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN101256986A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發明(設計)人: | 徐華偉 | 申請(專利權)人: | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60;G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人: | 白璧華 |
| 地址: | 200233上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 液晶 顯示裝置 制造 方法 及其 tft 完成 | ||
1.一種液晶顯示裝置的制造方法,其TFT基板制作步驟包括:
提供一玻璃基板,設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域,
在玻璃基板上沉積一第一金屬層并刻蝕出第一金屬互連圖形,該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的第一金屬層信號配線和靜電保護走線,
在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層,并涂布第一光刻膠層,
對該第一光刻膠層進行多灰階曝光,靜電保護走線和/或第一金屬層信號配線要與第二金屬層配線重疊互連的區域被完全曝光,而薄膜晶體管的半導體島區域覆蓋的光刻膠具有第一高度,除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度,第一高度大于第二高度,
以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜,刻蝕掉靜電保護走線要與數據線重疊互連的區域的半導體和絕緣層,形成隔層互連區,
除去第二高度光刻膠,同時把第一高度光刻膠打薄,
以剩余的光刻膠作為掩膜,刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層,然后除去剩余的光刻膠,
沉積第二金屬層,在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接,并刻蝕出第二金屬互連圖形。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于所述的靜電保護走線由設置于外圍測試電路區的短路棒走線充任,其制作步驟包括:
提供一玻璃基板,設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區,
在玻璃基板上沉積一第一金屬層并刻蝕出第一金屬互連圖形,該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試電路區的柵極配線和測試電路區內要與數據配線連接的第一、第二數據短路棒走線,
在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層,并涂布第一光刻膠層,
對該第一光刻膠層進行多灰階曝光,使測試電路區內柵極配線要與柵極短路棒重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域以及兩層短路棒要重疊互連的區域被完全曝光,而薄膜晶體管的半導體島區域覆蓋的光刻膠具有第一高度,除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度,第一高度大于第二高度,
以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜,刻蝕掉測試電路區內柵極配線的要與柵極短路棒重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域以及兩層短路棒要重疊互連的區域的半導體和絕緣層,形成隔層互連區,
除去第二高度光刻膠,同時把第一高度光刻膠打薄,
以剩余的光刻膠作為掩膜,刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層,然后除去剩余的光刻膠,
沉積第二金屬層,在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接,并刻蝕出第二金屬互連圖形,該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試電路區的數據配線和第一、第二柵極短路棒走線。
3.根據權利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于:所述的第一、第二數據短路棒走線分別與奇數條和偶數條之數據配線電連接,所述的第一、第二柵極短路棒走線分別與奇數條和偶數條之柵極配線電連接。
4.根據權利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于:所述TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組,而每個面板的陣列測試焊盤組彼此獨立。
5.根據權利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于:所述TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組,并使用輔助用保護配線把所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海廣電光電子有限公司,未經上海廣電光電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810034961.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





