[發明專利]一種基板可重復使用的制備微小焊球的方法

無效

• 申請號: 200810034624.X
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101246828A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 林小芹;羅樂
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 潘振甦

1.一種基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的制造方法分為二大步：

第一步采用IC制作工藝，制備可重復使用的基板

首先將作為基板的硅片進行熱氧化處理；正面濺射金屬導電層；在導電層上沉積一層阻擋層，并光刻出阻擋層開口露出導電層金屬；

第二步在第一步制備的可重復使用的基板上制作焊球

a)首先濺射金屬犧牲層并光刻出犧牲層圖形覆蓋在導電層開口上；

b)涂覆厚光刻膠并光刻出電鍍窗口；

c)然后電鍍焊料；

d)電鍍完畢后去除厚光刻膠；

e)在保護氣氛下，使用助焊劑在焊料熔點溫度以上的回流溫度下將焊料進行回流；焊料回流成球后清洗表面殘留的助焊劑；

f)然后濕法腐蝕去除焊料球下的犧牲層，焊料球從基板上脫離，收集焊料球。

2.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的硅片為單面拋光N型(100)或P型(100)硅片。

3.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的熱氧化處理工藝為濕法或干法，生成的氧化層厚度為0.1～2.0微米。

4.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的正面濺射金屬層是由一層以上的金屬層構成，金屬層厚度為0.1微米～2.0微米。

5.按權利要求4所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的金屬層為TiW或Cu。

6.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的阻擋層為SiO₂或Si₃N₄，厚度為0.1微米～2.0微米。

7.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的金屬犧牲層是由一層以上的金屬層構成；犧牲層的厚度為0.1微米～5微米；且犧牲層圖層的尺寸大于或等于阻擋層開口的尺寸。

8.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于所述的電鍍窗口的尺寸比犧牲層圖形尺寸大。

9.按權利要求1所述基板可重復使用的制造微小焊球的方法，其特征在于焊球下的犧牲層用濕法腐蝕去除，腐蝕犧牲層的混合溶液不腐蝕電鍍焊料或導電層金屬。