[發明專利]一種高純納米二氧化鈰的制備方法無效
| 申請號: | 200810034551.4 | 申請日: | 2008-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN101244837A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 閆冰;李靈芝 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | C01F17/00 | 分類號: | C01F17/00 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 | 代理人: | 張磊 |
| 地址: | 20009*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高純 納米 氧化 制備 方法 | ||
1、一種高純納米二氧化鈰的制備方法,其特征在于具體步驟如下:
(1)原料配比:以Ce(NO3)3·6H2O和N,N二甲基乙酰胺為原料,將Ce(NO3)3·6H2O配置成摩爾濃度為0.1~0.4mol/l的溶液,按照Ce(NO3)3·6H2O和N,N二甲基乙酰胺的摩爾比為1∶5~1∶10的比例混合兩種溶液,在室溫下攪拌0.5~1h,使其充分反應;
(2)水熱合成反應:將步驟(1)所得的混合物置于聚四氟乙烯反應釜中,在150~180℃溫度下反應24~72h;然后在室溫下冷卻,得到白色懸濁液,過濾,得白色沉淀;
(3)過濾洗滌:純水和無水乙醇洗滌,過濾,干燥,得到白色粉末;
(4)將步驟(3)所得白色粉末焙燒,然后冷卻至室溫,即得所需產品納米級CeO2。
2、根據權利要求1所述的高純納米二氧化鈰的制備方法,其特征在于步驟(3)中所述干燥溫度為60-80℃,干燥時間為18-30小時。
3、根據權利要求1所述的高純納米二氧化鈰的制備方法,其特征在于步驟(4)所述焙燒溫度為400~800℃,焙燒時間為2-4小時。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于同濟大學,未經同濟大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810034551.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:磁聲場協同水體充氧凈化處理方法及其裝置
- 下一篇:一種治療糖尿病的中藥





