[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810034157.0
• 申請日: 2008-03-03
• 公開（公告）號: CN101236975A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 田廣彥
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于包括：

一基板；

多條柵線與多條數據線，配置于所述基板上，其中所述柵線與數據線相交以定義多個像素區(qū)域；

多個像素結構，配置于所述基板上的各像素區(qū)域中，其中各像素結構包括一薄膜晶體管和一像素電極，所述薄膜晶體管的源極通過接觸孔電性連接所述像素電極，所述薄膜晶體管的漏極位于所述柵線與數據線的交叉部。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括共用電極線，所述像素電極部分與所述共用電極線連接。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極是位于所述柵線上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括一柵極絕緣層，設置于所述柵線之上。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括一半導體層，其位于所述薄膜晶體管的源極和漏極的下方且在所述柵極絕緣層之上。

6.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

提供一基板；

在基板上形成柵線和柵極；

在柵線和柵極之上覆蓋柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成半導體層；

在半導體層和柵極絕緣層上形成數據線和薄膜晶體管的漏極、源極，其中以所述柵線和數據線的交叉部作為所述漏極；以及

形成像素電極并通過接觸孔和薄膜晶體管的源極電性連接。