[發(fā)明專利]低紫外光學(xué)損耗的氧化鋁薄膜的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810033200.1
• 申請(qǐng)日: 2008-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN101220455A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尚淑珍;趙祖欣;周文煊;黃俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華東理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/26;C23C14/02;B08B3/12;C23C14/54;C23C14/58
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 談順法

1.一種低紫外光學(xué)損耗氧化鋁薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包含下列步驟：

1)將顆粒狀氧化鋁材料放入電子束熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的坩堝里，氧化鋁材料的純度標(biāo)定在99.9％以上；

2)將基片在水中進(jìn)行超聲波清洗，時(shí)間為1-2分鐘；將清洗過的基片用石油醚擦洗后裝入真空室內(nèi)的夾具上；

3)抽真空半小時(shí)后開始加烘烤，烘烤溫度為300℃-350℃；

4)本底真空度達(dá)到6.5×10^-3Pa時(shí)開始對(duì)材料進(jìn)行預(yù)融，預(yù)融后鍍膜，工作真空度為3.5×10^-3-7.5×10^-3Pa，殘余氣體為空氣；

5)將鍍膜后的樣品冷卻后取出，進(jìn)行鍍膜后退火處理，退火處理采用普通的加熱爐，退火氣氛為空氣，退火溫度為300℃-400℃，保溫時(shí)間為1-2小時(shí)，即制得氧化鋁薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的低紫外光學(xué)損耗氧化鋁薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法步驟3)中，烘烤的同時(shí)夾具以10-40轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)。

3.如權(quán)利要求1所述的低紫外光學(xué)損耗氧化鋁薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法步驟4)中，鍍膜時(shí)夾具以60-90轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)。